IRFB3306GPBF是 英飞凌旗下 HEXFET® 系列 的一款 N沟道功率MOSFET,采用 TO-220AB封装,适用于高电流开关、电源转换及电机驱动等应用。该器件凭借低导通电阻、高电流承载能力及优异的散热性能,成为工业与汽车电子领域的优选方案。
特性(IRFB3306GPBF)
符合行业标准的通孔式电源封装
高电流额定值
符合JEDEC标准的产品认证
针对开关频率低于<100 kHz的应用优化的硅材料
与上一代硅材料相比,体二极管更柔和
提供广泛的产品组合
技术参数(IRFB3306GPBF)
漏源电压 :60V
连续漏极电流 :在 25°C 时为 160A,当结温为 150℃时为 120A
导通电阻 :最大值为 4.2mΩ @ 75A,10V,典型值为 3.3mΩ @ 79A,10V,1.9mΩ @ 112A,10V
栅极阈值电压 :最大值为 4V @ 150μA
栅极电荷量 :最大值为 120nC @ 10V
输入电容 :最大值为 4520pF @ 50V
反向传输电容 :最大值为 250pF
耗散功率 :最大值为 230W(Tc)
工作温度 :-55℃~+175℃(TJ)
优势(IRFB3306GPBF)
标准引脚布局支持直接替换
高电流承载能力封装
符合行业标准的认证级别
在低频应用中表现出色
提升功率密度
为设计师提供灵活性,可选择最适合其应用的器件
应用(IRFB3306GPBF)
开关电源中的高效率同步整流
不间断电源
高速电源开关
硬开关和高频电路
型号
品牌
封装
数量
描述
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