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IPA60R199CP 是 英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 CoolMOS™ CP系列，采用 TO-220FP（PG-TO-220-FP）封装，适用于高效率电源转换、工业电力系统及汽车电子等应用。该器件采用 先进的超结（Super Junction）技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关速度及优异的散热性能，可显著提升系统效率并减少PCB空间占用。

核心特性

高耐压：650V 漏源电压（VDS），适用于 AC-DC电源、太阳能逆变器 等高电压应用。

低导通电阻：199mΩ（最大值）@10V VGS，减少导通损耗，提高能效。

高电流能力：16A 连续漏极电流（ID）（25°C时，壳温限制）。

快速开关性能：上升时间5ns，下降时间5ns，优化高频开关应用。

低栅极电荷（Qg）：32nC @10V，减少驱动损耗，适配低功耗控制电路。

车规级可靠性：工作温度 -55°C ~ +150°C，符合 RoHS无铅标准，适用于严苛环境。

技术参数

型号：IPA60R199CP 

封装：TO-220FP（PG-TO-220-FP）

漏源电压（VDS）： 650V

连续漏极电流（ID）：16A

脉冲漏极电流（IDM）：51A

导通电阻（RDS(on)）：199mΩ（最大值） VGS=10V, ID=9.9A

栅极电荷（Qg）：32nC VGS=10V

输入电容（Ciss）： 1520pF VDS=100V

最大功率耗散（PD）：34W Tc=25°C

开关时间：上升5ns / 下降5ns

工作温度范围：-55°C ~ +150°C

潜在应用

太阳能

服务器

通信

消费品

适配器

计算机电源

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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