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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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商品型号:FF6MR12KM1H

商品名称:FF6MR12KM1H

数据手册:FF6MR12KM1H.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封装:Module

货期:全新原装

库存数量:1000

数量:
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公司名称:

技术参数

制造商
INFINEON
型号
FF6MR12KM1H
封装
Module
描述
配备 CoolSiC™ 沟槽 MOSFET 的 62 毫米 C 系列模块

产品描述

FF6MR12KM1H 62 mm 1200 V、5.5 mΩ 半桥模块采用 CoolSiC™ MOSFET 技术,采用众所周知的 62mm 外壳和 M1H 芯片技术。还可提供预涂热界面材料 (TIM)。


特征

● 高电流密度

● 开关损耗低

● 卓越的栅极氧化物可靠性

● 最高的防潮性能

● 坚固的集成体二极管

● 抗宇宙射线能力强

● 高速开关模块

● 对称模块设计

● 标准结构技术


应用

● 储能系统

● 电动汽车充电

● 光伏发电

● 不间断电源 (UPS)

相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

IPDQ60R020CFD7

INFINEON

PG-HDSOP-22

3000

600V CoolMOS™ CFD7 功率晶体管,PG-HDSOP-22

NVMFD5C672NLT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFD5C466NWFT1G

ON

8-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C680NLWFT1G

ON

5-DFNW

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C442NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVMFS5C468NLAFT1G

ON

5-DFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C670NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C673NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C471NLWFTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

NVTFS5C453NLTAG

ON

8-WDFN

2000

单 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…

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