商品名称:ISP13DP06NMS
数据手册:ISP13DP06NMS.pdf
品牌:INFINEON
年份:23+
封装:PG-SOT223
货期:全新原装
库存数量:1000 件
ISP13DP06NMS 12V-250V P沟道功率MOSFET为设计人员提供一个新选项,以便在优化性能的同时简化电路。P沟道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。P沟道功率MOSFET非常适合用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低压驱动应用。
特性
● P沟道
● 非常低的导通电阻RDS(on)
● 100%经过雪崩测试
● 逻辑电平或正常电平
● 增强模式
● 无铅电镀;符合RoHS指令
● 无卤素,符合IEC61249-2-21标准
应用
● 电池保护
● 反极性保护
● 线性电池充电器
● 负载开关
● 直流-直流转换器
● 低压驱动
型号
品牌
封装
数量
描述
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