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ISP25DP06LMS 12V-250V P沟道功率MOSFET为设计人员提供一个新选项，以便在优化性能的同时简化电路。P沟道器件的主要优点是降低了中低功耗应用中的设计复杂性。P沟道功率MOSFET非常适合用于电池保护、反极性保护、线性电池充电器、负载开关、直流-直流转换器和低压驱动应用。

产品属性

FET 类型：P 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：1.9A（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：250 毫欧 @ 1.9A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 270µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：13.9 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：420 pF @ 30 V

功率耗散（最大值）：1.8W（Ta），5W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：PG-SOT223

封装/外壳：TO-261-4，TO-261AA

应用

● 电池保护

● 反极性保护

● 线性电池充电器

● 负载开关

● 直流-直流转换器

● 低压驱动

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