商品名称：A5G26H605W19NR3
数据手册：
A5G26H605W19NR3.pdf
品牌：NXP
年份：23+
封装：OM−780−4S4S
货期：全新原装
库存数量：1000 件
A5G26H605W19NR3 85 W 非对称 Doherty 射频功率 GaN 晶体管专为要求极宽瞬时带宽的蜂窝基站应用而设计。频率范围为 2496 至 2690 MHz。该器件的特性和性能保证适用于部件用于这些频率以外的应用时，其性能将得不到保证。
特点
● 实现最佳宽带性能的高终端阻抗
● 先进的高性能封装内 Doherty
● 利用下一代信号改进线性化误差矢量幅度
● 能够承受极高的输出驻波比和宽带工作条件
● 塑料封装
型号
品牌
封装
数量
描述
Nexperia
CCPAK1212i
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 650 V 58.5A（Tc） 250W（Tc） CCPAK1212i
Nexperia
WLCSP-22
3000
氮化镓 (GaN) FET 表面贴装型 N 通道 40 V 20A（Ta） 13W（Ta） 22-WLCSP（2.1x2.1）
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S9S12XS256J0VAL是一款高性能16位微控制器，基于S12X内核，专为汽车和工业应用设计。电话咨询：86-755-83294757
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