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深圳市明佳达电子有限公司
型号

VSC7427XJG-02 VSC7425XJG-02 88E6190-A0-TLA2C000

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产品分类

集成电路（IC）

以太网 CAN 收发器 服务器管理处理器 高带宽总线开关 差动放大器 模拟交叉点开关 HDMI发送器 激光驱动器 模拟开关 IC 超声波接收器 多路复用器和解复用器 视频处理器 视频编码器 接口 - 串行数字接口 (SDI) IC AI 芯片 接口 - 重定时器 跨阻放大器 CXL 近内存加速器和内存扩展控制器 模拟乘法器 RS-422/RS-485 接口 IC 隔离式CAN收发器 仪表放大器 PCI Express 交换机 汽车系统芯片

物联网/IGBT模组

2G模组 4G模组 5G模组 物联网模组 新能源模组 车规级模组 智能模组 AR/VR 蜂窝物联网模块 卫星通信模块 GNSS 模组 LPWA 模组 物联网芯片

滤波器

带阻滤波器 低通滤波器 带通滤波器 SAW滤波器 BAW滤波器 Wi-Fi 滤波器 2.4GHz Wi-Fi 带通滤波器 有源滤波器​ RF 滤波器 高通滤波器 5GHz Wi-Fi 带通滤波器 6GHz Wi-Fi 带通滤波器

无线连接

Wi-Fi 6 蓝牙IC 蓝牙5.1 蓝牙5.0 蓝牙5.2 无线通信芯片 近场通信（NFC） WiFi蓝牙 Wi-Fi 芯片 超宽带 UWB IC GNSS 接收器 Wi-Fi 4 WiFi 模块 蓝牙低功耗 Wi-Fi 5 Wi-Fi 7 无线通信模块 无线网卡芯片 蓝牙模块 WiFi 无线模块 蓝牙音频SoC

AI 处理器

分立半导体

晶体管 - FET，MOSFET - 单个 双极（BJT）晶体管 碳化硅（SiC）JFET 硅二极管 电源模块 射频晶体管 功率 MOSFET 模块 碳化硅（SIC）FET 模块 碳化硅（SIC）FET P 沟道 MOSFET 晶体管 - 射频 FET，MOSFET MOSFET 模块 晶闸管 二极管阵列模块 MOSFET 晶体管 N 沟道 MOSFET IGBT 晶体管 二极管与整流器 肖特基二极管与整流器 单齐纳二极管 双极晶体管阵列 功率驱动器模块 二极管 - 整流器 - 单 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列

电源管理

氮化镓 (GaN) IC 线性稳压器LDO AC-DC控制器和稳压器 DC-DC电源产品 电压基准 电池管理 升压控制器 以太网供电（PoE）控制器

连接器

压接线连接器 近栈连接器 ExtremePort Swift连接器 Multi-Trak™ 连接器 VITA 67.3 连接器 SpaceVPX VITA 78连接器 ExtremePort Z-Link 连接器 Displayport连接器 磁性插孔连接器 SAS/PCIe 5.0 连接器 SAS/PCIe 4.0 连接器 Mini USB连接器 SFP112G连接器 MiniSAS HD连接器 OSFP-XD连接器 DSFP连接器 CXP连接器 QSFP连接器 OSFP连接器 SFP连接器 CFP2连接器 Mini Cool Edge IO 连接器 SlimSAS™ 连接器 Mini-SAS 高密度连接器

传感器

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存储器

NOR 闪存 非易失性存储器 随机存取存储器RAM 静态随机存取存储器SRAM 同步动态随机存取内存SDRAM 固态硬盘控制器 AI 存储器 F-RAM LPDDR5 uMCP EEPROM 固态硬盘 - SSD 标准串行EEPROM 汽车级串行EEPROM eMMC ​伪静态随机存储器(PSRAM) 可擦除可编程ROM NAND 闪存 通用闪存存储器 - UFS 动态随机存取存储器DRAM 存储器 - 模块

电阻器网络

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图片仅供参考，请参阅产品规格
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商品型号：IPG20N06S4L-11

商品名称：车规级MOSFET

品牌：INFINEON

年份：24+

封装：TDSON-8

货期：全新原装

库存数量：2000 件

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公司名称：

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IPG20N06S4L-11
封装
TDSON-8
描述
表面贴装型 双 N 通道 60 V 20A 65W PG-TDSON-8

产品描述

描述：IPG20N06S4L-11是一款双 N 通道逻辑电平功率MOSFET，采用PG-TDSON-8贴片封装。该器件可用于自动光学检查（AOI），设计符合AEC-101认证，因此适用于分散式前车灯模块和汽车远程信息处理控制单元 (TCU)。


规格

产品种类 ：MOSFET

封装 / 箱体 ：TDSON-8

晶体管极性 ：N-Channel

通道数量 ：2 Channel

Vds-漏源极击穿电压 ：60 V

Id-连续漏极电流 ：20 A

Rds On-漏源导通电阻 ：11.2 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压 ：- 16 V, + 16 V

Vgs th-栅源极阈值电压 ：1.7 V

Qg-栅极电荷 ：53 nC

最小工作温度 ：- 55°C

最大工作温度 ：+ 175°C

Pd-功率耗散 ：65 W

通道模式 ：增强型

资格 ：AEC-Q101

配置 ：Dual

高度 ：1.27 mm

长度 ：5.9 mm

晶体管类型 ：2 N-Channel

宽度 ：5.15 mm

单位重量 ：98.290 mg


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型号

品牌

封装

数量

描述

IPD14N06S2-80

INFINEON

PG-TO252-3

2000

55V 80mΩ OptiMOS™ 汽车 MOSFET 晶体管

IPD90P03P4L-04

INFINEON

PG-TO252-3

15000

-30V，P-Ch，最大 4.5 mΩ，汽车 MOSFET，DPAK，OptiMOS™-P2

IPC100N04S5-2R8

INFINEON

PG-TDSON-8

10000

40V，N-通道，最大 2.8 mΩ，汽车 MOSFET，SSO8 (5x6)，OptiMOS™-5

IAUTN08S5N012L

INFINEON

PG-HSOF-8

2000

N 沟道 OptiMOS™ 5 汽车 MOSFET 晶体管

IAUCN04S7N056D

INFINEON

PG-TDSON-8

2000

N 沟道 OptiMOS™ 7 汽车 MOSFET 晶体管

STW58N60DM2AG

ST

TO-247-3

15000

汽车级N沟道600 V、0.052 Ohm典型值、50 A MDmesh DM2功率MOSFET，TO-247封装

IPG20N04S4L-11

INFINEON

PG-TDSON-8

35000

40V，双 N-Ch，最大 11.6 mΩ，汽车 MOSFET，双 SS08 (5x6)，OptiMOS™-T2

IPZ40N04S5L-2R8

INFINEON

TSDSON-8

20000

汽车 MOSFET，S3O8，OptiMOS™-5 功率晶体管

IPC100N04S5L-1R5

INFINEON

PG-TDSON-8

25000

40V，N-Ch，最大 1.5 mΩ，汽车 MOSFET，SS08 (5x6)，OptiMOS™-5

SCT016H120G3AG

ST

H2PAK-7

2000

1200 V 汽车级碳化硅功率 MOSFET 晶体管

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

    答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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    答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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    答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

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