2ED3142MC12L - EiceDRIVER™ 紧凑型双通道隔离栅极驱动器,具有 6.5 A 灌入和 6 A 灌出峰值输出电流,采用 14 引脚 DSO 宽体封装,适用于 IGBT、MOSFET 和 SiC MOSFET。2ED3142MC12L 属于 EiceDRIVER™ 紧凑型 2ED31xx 系列(X3 紧凑型系列)。2ED3140 提供死区时间控制 (DTC) 功能和独立通道操作。这使得它可以作为双通道低压侧驱动器、双通道高压侧驱动器或具有可配置死区时间的半桥栅极驱动器运行。
2ED3142MC12L - 主要特性:
适用于 600 V/650 V/1200 V/1700 V/2300 V IGBT、Si 和 SiC MOSFET
2300 V 功能偏移电压,适用于特定应用
电隔离无芯变压器栅极驱动器
高达 6.5 A 的典型峰值输出电流
39 ns 传播延迟
35 V 绝对最大输出电源电压
高共模瞬态抗扰度 CMTI > 200 kV/µs
主动关断和短路箝位
3.3 V 和 5 V 输入电源电压
禁用引脚关闭输出
带滞后的 8.5 V/ 9.3 V 欠压锁定 (UVLO) 保护
2ED3142MC12L - 应用:
DIN 导轨电源
储能系统
电动汽车充电
通用电机驱动 - 变频和变压
电机控制
型号
品牌
封装
数量
描述
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IRS2181STRPBF是EiceDRIVER™ 600 V 高、低压侧栅极驱动器 IC,典型源电流为 1.9 A,灌电流为 2.3 A,采用 8 引线 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。IRS2186STRPBF
IRS2186STRPBF属于EiceDRIVER™ 600 V 高压侧和低压侧栅极驱动器 IC,具有典型的 4 A 源电流和 4 A 灌电流,采用 8 引线 SOIC 封装,适用于 IGBT 和 MOSFET。BTS5210G
BTS5210G是一款 双通道智能高侧电源开关,采用 SIPMOS 技术 集成 N 沟道垂直功率 MOSFET,适用于 12V 和 24V 接地负载 的电源管理应用。电话咨询:86-755-83294757
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