S26HS01GTGABHV033 SEMPER™ 闪存产品是高速 CMOS、MIRRORBIT™ NOR 闪存器件，符合 JEDEC JESD251 eXpanded SPI (xSPI) 规范。
S26HS01GTGABHV033 的规格
存储器类型：非易失性
存储器格式：FLASH
技术：FLASH - NOR (SLC)
存储器大小：1Gbit
存储器组织：128M x 8
存储器接口：超级总线
时钟频率：200 MHz
电压 - 电源：1.7V ~ 2V
写入周期时间 - 字、页：1.7 毫秒
访问时间：5.45 ns
工作温度：-40°C ~ 105°C (TA)
安装类型：表面贴装
S26HS01GTGABHV033 的特性
英飞凌 45 纳米 MIRRORBIT™ 技术，在每个存储器阵列单元中存储两个数据位
256 或 512 字节的页面编程缓冲区
1024 字节（32 × 32 字节）的 OTP 安全硅区 (SSR)
保护功能--高级扇区保护，用于基于单个内存阵列扇区的保护
自动启动功能可在开机后立即访问内存阵列
通过 CS# 信号方法（JEDEC）和单独的 RESET# 引脚进行硬件复位
描述设备功能和特性的串行闪存可发现参数 (SFDP)
设备标识、制造商标识和唯一标识
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要，在这些应用中，价格/性能、实时响应性、计算能…
IPA60R199CP
IPA60R199CP 是 英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 CoolMOS™ CP系列，采用 TO-220FP（PG-TO-220-FP）封装，适用于高效率电源转换、工业电力系统及汽车电子等应用。
IRFB3306GPBF
IRFB3306GPBF是 英飞凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N沟道功率MOSFET，采用 TO-220AB封装，适用于高电流开关、电源转换及电机驱动等应用。
BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 3系列，采用 TDSON-8封装（3.33.3mm），适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等应用。
BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N沟道功率MOSFET，采用 TDSON-8封装，属于 OptiMOS™ 5系列。
BTS724G
BTS724G 是英飞凌推出的四通道智能高端开关，采用PG-DSO-20封装，专为汽车电子和工业控制应用设计。电话咨询：86-755-83294757
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