NVMFS5C612NWFT1G - N 沟道 MOSFET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：NVMFS5C612NWFT1G

商品名称：NVMFS5C612NWFT1G

数据手册：NVMFS5C612NWFT1G.pdf

品牌：ON

年份：23+

封装：5-DFN

货期：全新原装

库存数量：3000 件

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公司名称：

技术参数

制造商

型号

NVMFS5C612NWFT1G

封装

5-DFN

描述

表面贴装型 N 通道 60V 34A（Ta），225A（Tc） 3.8W（Ta），167W（Tc） 5-DFN（5x6）（8-SOFL）

产品描述

NVMFS5C612NWFT1G汽车用功率MOSFET是一款单N沟道功率MOSFET。NVMFS5C612N功率MOSFET具有低RDS(on)值、QG值和栅极电容，可最大限度地降低导通和开关损耗。NVMFS5C612N汽车用MOSFET采用5mm×6mm扁平引线封装，设计用于紧凑高效的设计，具有较高的散热性能。典型应用包括反向电池保护、开关电源、电源开关、电磁阀驱动器、电机控制和负载开关。

产品规格：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：60 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：34A（Ta），225A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.65 毫欧 @ 50A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：62 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4900 pF @ 25 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：3.8W（Ta），167W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型：表面贴装型

供应商器件封装：5-DFN（5x6）（8-SOFL）

封装/外壳：8-PowerTDFN，5 引线

基本产品编号：NVMFS5

常见问题

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。