NIS5132MN4TXGHW 一款高性能 N 沟道 MOSFET,以其优异的性能和可靠性,成为工业控制、汽车电子、通信设备等领域的理想选择。
NIS5132MN4TXGHW 采用先进的沟槽栅工艺制造,具有以下突出特点:
低导通电阻: NIS5132MN4TXGHW 的导通电阻 (RDS(on)) 低至 3.2mΩ,能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
高开关速度: NIS5132MN4TXGHW 具有极低的栅极电荷 (Qg) 和输出电荷 (Qoss),能够实现高速开关,降低开关损耗。
优异的雪崩耐量: NIS5132MN4TXGHW 具有优异的雪崩耐量,能够承受高能量的雪崩击穿,提高系统可靠性。
符合 RoHS 标准: NIS5132MN4TXGHW 符合 RoHS 标准,满足环保要求。
产品规格
宽输入电压范围:支持 4.5V 至 28V 的输入电压
可调输出电压:输出电压可通过外部电阻设置
高效率:在额定负载下,效率可达到 90% 以上
过流保护:内置过流限制功能,确保电路安全
封装类型:采用 SOP-8 封装,适合紧凑型设计
工作温度范围:-40°C 至 85°C
PWM 调制支持:支持 PWM 模式,可实现精确的负载调节
NIS5132MN4TXGHW 应用领域广泛
NIS5132MN4TXGHW 可广泛应用于各种需要高效率、高可靠性的领域,例如:
工业控制: 电机驱动、电源转换、逆变器等。
汽车电子: 电动助力转向、电池管理系统、车载充电器等。
通信设备: 基站电源、服务器电源、网络设备等。
消费电子: 笔记本电脑适配器、游戏机电源、液晶电视等。
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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UJ3C120040K3S
UJ3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UJ3C120070K3S
UJ3C120070K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超级结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 TO24…UF3C120040K3S
UF3C120040K3S SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性可真正 “替代 ”硅 IGBT、硅 FET、硅 C MOSFET 或硅超级结器件。该器件采用 T0247-3 封装,具有超…UF3C120040K4S
UF3C120040K4S 是高性能 F3 SiC 快速 JFET,采用级联优化 MOSFET,是目前市场上唯一的标准栅极驱动 SiC 器件。该器件采用 4 端子 T0247- 封装,具有极快的开关速度和类似额定值器件中最佳的反向恢复特性。这些器件非常适合电感负载开关和任何需要标准栅极驱动的应用。UF3…UJ3C065030B3
UJ3C065030B3 SiC FET 器件基于独特的 “级联 ”电路配置,其中一个常开 SiC JFET 与一个 Si MOSFET 共同封装,从而产生一个常闭 SiC FET 器件。该器件的标准栅极驱动特性使其成为 Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超结器件的真正 “直接替代品”。该器件采用 DPAK-3L…NVH4L050N170M1
NVH4L050N170M1:1700V、45A、53mohm、碳化硅 (SiC) N通道 MOSFET 晶体管,TO-247-4型号:NVH4L050N170M1封装:TO-247-4类型:碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管NVH4L050N170M1 规格参数:FET 类型:N 通道技术:SiC(碳化硅结晶体管)漏源电压(Vdss):1700 V25C 时电流 - 连…电话咨询:86-755-83294757
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