STW48N60M6 是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沟道功率 MOSFET,属于 MDmesh™ M6 系列。新的 MDmesh™ M6 技术将最新的先进技术融入了著名的 SJ MOSFET MDmesh 系列。意法半导体在上一代 MDmesh 器件的基础上推出了全新的 M6 技术,该技术将出色的单位面积 RDS(on)改进与目前最有效的开关行为之一相结合,并提供了用户友好的体验,从而实现了最高的终端应用效率。
特性
降低开关损耗
单位面积 RDS(on) 比上一代产品更低
栅极输入电阻低
100% 经过雪崩测试
齐纳保护
产品属性
型号:STW48N60M6
系列:MDmesh™ M6
包装:管件
零件状态:在售
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :39A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 69毫欧 @ 19.5A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.75V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 57 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±25V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值): 2578 pF @ 100 V
功率耗散(最大值): 250W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型: 通孔
应用
开关应用
LLC 转换器
升压 PFC 转换器
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT™ 5x6
15000
汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装
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