这款STL135N8F7AG N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术,具有增强型沟槽栅极结构,导通电阻极低,同时还能降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。
STL135N8F7AG 特性
专为汽车应用和通过 AEC-Q101 认证
是市场上 RDS(导通)最低的器件之一
极佳的 FoM(优点系数)
抗电磁干扰的低 Crss/Ciss 比率
高雪崩坚固性
可润湿侧面封装
STL135N8F7AG 技术参数
FET 类型: N 通道
技术: MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss): 80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) :130A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On): 10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值): 3.6 毫欧 @ 13A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值): 4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值): 103 nC @ 10 V
Vgs(最大值): ±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):6800 pF @ 40 V
功率耗散(最大值): 4.8W(Ta),135W(Tc)
工作温度: -55°C ~ 175°C(TJ)
等级: 汽车级
资质: AEC-Q101
安装类型: 表面贴装,可润湿侧翼
供应商器件封装: PowerFlat™(5x6)
封装/外壳: 8-PowerVDFN
STL135N8F7AG 应用
开关应用
型号
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描述
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