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NTH4L027N65S3F SuperFET® III MOSFET是高压超结 (SJ) N沟道MOSFET，旨在满足电信、服务器、电动汽车 (EV) 充电器和太阳能产品的高功率密度、系统效率和超高可靠性要求。此器件拥有出色的可靠性、低电磁干扰、超高的效率和卓越的热性能，是高性能应用的理想选择。除高性能外，SuperFET III MOSFET还通过丰富的封装选项为产品设计师提供高度的灵活性，特别是在尺寸受限的设计中。

产品规格：

FET 类型：N 通道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：75A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：27.4 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：5V @ 3mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：259 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：7690 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：595W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-4L

封装/外壳：TO-247-4

基本产品编号：NTH4L027

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