IXYK220N65A5是一款IGBT(绝缘栅双极晶体管),属于Gen5 XPT™系列产品。该产品具有以下主要规格:
IGBT 类型:沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值):650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):510 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm):1.18 kA
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.35V @ 15V,100A
功率 - 最大值:1.16 kW
开关能量:1.3mJ(导通),7.95mJ(关断)
输入类型:标准
栅极电荷:750 nC
25°C 时 Td(开/关)值:64ns/540ns
测试条件:300V,100A,1 欧姆,15V
工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型:通孔
封装/外壳:TO-264-3,TO-264AA
应用领域
IXYK220N65A5适用于需要高电流和高电压的工业应用,如电源逆变器、电机驱动器、PFC电路、电池充电器、焊接机、灯具镇流器和浪涌电流保护器电路等。由于其高功率密度和低栅极驱动要求,这些应用能够高效运行并减少能耗。
型号
品牌
封装
数量
描述
ROHM
TO-247GE
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 5μs Short-Circuit Tolerance, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247GE
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 75 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 1200 V 35 A TO-264 MAX
Microchip
TO-264-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 100 A TO-264
Microchip
TO-247-3
1500
绝缘栅双极晶体管(IGBT) IGBT Fieldstop Low Frequency Combi 600 V 50 A TO-247
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IXYS(中文名: 艾赛斯)总部位于美国硅谷,1983年成立,主营:MOSFET、IGBT、 Thyristor、SCR、整流桥、二极管、DCB块、功率模块、Hybrid、晶体管、逆变器、射频模块和单片机等。业务分布于消费、汽车、医疗、电信、工业和能源领域,产品技术特点为高压、高功率,涵盖了…
IXGH28N60B3D1
IXGH28N60B3D1绝缘栅双极晶体管(IGBT) 提供高达150 kHz的开关能力,电流范围为66A。高开关速度和低传导损耗的结合为电源设计人员提供了一种新的高价值开关应用选择。该产品具有以下主要参数:IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值…IXXK100N60B3H1
IXXK100N60B3H1是一款IGBT(绝缘栅双极型晶体管),主要用于10-30kHz的开关应用。该产品具有以下主要参数:IGBT 类型:PT电压 - 集射极击穿(最大值):600 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):200 A电流 - 集电极脉冲 (Icm):440 A不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):1.8V…IXYK85N120C4H1
IXYK85N120C4H1绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻,优化用于实现低开关损耗。其特点和技术规格如下:特点经过优化用于低开关损耗正热系数VCE(sat)国际标准封装大电流处理能力功率密度大栅极驱动要求低反向并联sonic二…IXYH40N120B4H1
IXYH40N120B4H1 1200V沟槽式XPT™绝缘栅极双极晶体管 (IGBT) 采用XPT薄晶圆技术和沟槽式IGBT工艺开发。该晶体管具有低热阻,优化用于实现低开关损耗。该产品具有以下主要规格:IGBT 类型:沟道电压 - 集射极击穿(最大值):1200 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):112 A电…IXYN180N65A5
IXYN180N65A5模块具有650V额定电压、180A电流范围以及低栅极电荷。该产品优化用于需要0至5kHz开关频率的应用,具有以下主要规格:IGBT 类型:-配置:单路电压 - 集射极击穿(最大值):650 V电流 - 集电极 (Ic)(最大值):340 A功率 - 最大值:940 W不同 Vge、Ic 时 Vce…IXA37IF1200HJ
IXA37IF1200HJ器件采用先进的GenX3 IGBT工艺和极轻穿通(XPT)设计平台制造,具有高电流处理能力、高速开关能力、低总能量损耗和低电流下降时间。该款IGBT器件具有正的集电极-发射极电压温度系数,使得设计人员可以并联使用多个器件来满足高电流要求。其优势和技术规格如下…电话咨询:86-755-83294757
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