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AI 处理器

AI 加速器

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NFVA22512NP2T
ON

产品说明:ASPM34 系列汽车级 3相 1200V 25A IGBT智能功率模块

封装:DIP-34
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFL25065L4BT
ON

产品说明:PFC SPM® 2 系列,650 V, 50 A 用于 2 相交错 PFC的 (IPM) 模块

封装:DIP-32
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFCS1060L3TT
ON

产品说明:2合1 PFC和逆变器智能功率模块 (IPM), 600 V, 10 A

封装:SIP-35
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVGS3443T1G
ON

产品说明:单 P 沟道功率 MOSFET -20V、-4.4A、65mΩ

封装:TSOP-6
10起
10000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP57302DSADJR4G
ON

产品说明:LDO 稳压器,3 A,低漏,高 PSRR,快速瞬变响应

封装:D2PAK-5
10起
2412
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCP45770IMN24TWG
ON

产品说明:负载开关,集成式,ecoSWITCH™,3.6 mΩ,24V,20A,故障保护

封装:DFN-12
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET – EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH020P120MNF1PG
ON

产品说明:1200V 20 欧姆碳化硅模块

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FSBB10CH120DFL
ON

产品说明:IPM智能功率模块,1200V,10A

封装:SPMMC-27
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
AP0101AT2L00XPGA0-DR2
ON

产品说明:1 MP,高动态范围、适合汽车的图像信号处理器

封装:VFBGA-81
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-3L

封装:TO-247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC, 32 mohm, 650 V, M3S, TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,32 mohm,650 V,M3S,D2PAK-7L

封装:D2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG032N065M3S
ON

产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC,32 mohm,650 V,M3S,D2PAK-7L

封装:D2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFWS1D5N08XT1G
ON

产品说明:80V,253 A,1.5 mΩ 单N沟道功率 MOSFET

封装:DFNW-5
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVXK2VR80WXT2
ON

产品说明:1200V 三相桥式碳化硅(SiC)模块

封装:APM-32
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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