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产品说明:IGBT - 汽车级 1200 V 40 A,TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) 肖特基二极管 - EliteSiC,50 A,1200 V,D1
封装:TO-247-2产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,13.5mohm,750V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 欧姆、650 V、M3S、TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、23 欧姆、650 V、M3S、TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、960 欧姆、1700 V、M1、TO-247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,12 欧姆,650V,M2,TO247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC,13 欧姆,1200 V,M3S
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,70 欧姆,650V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC,13 欧姆,1200 V,M3S
封装:Die产品说明:碳化硅 MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,21mΩ,650V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET,N 沟道 - EliteSiC,13.5mohm,750V,M2,TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) MOSFET - EliteSiC、70 欧姆、650 V、M2、TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - 11 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200V,TNPC 拓扑,F2 封装
封装:PIM-29产品说明:带压配信号引脚的汽车 80V 双半桥 Mosfet 模块,APM17
封装:APM17-MFA电话咨询:86-755-83294757
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