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产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装
封装:PIM-18产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,30 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑结构,F1 封装
封装:PIM-22产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,2 封装半桥拓扑结构,F1 封装
封装:PIM-18产品说明:碳化硅 (SiC) 模块 - EliteSiC,15 欧姆 SiC M3S MOSFET,1200 V,4 封装全桥拓扑,F1 封装
封装:PIM-22产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,SUPERFET V,易驱动,TO247-3L 600 V,99 m,33 A
封装:TO-247-3产品说明:6.5A 栅极驱动器 容性耦合 5000Vrms 1 通道 8-SOIC
封装:SOIC-8产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道,D2PAK7 60 V,1.55 m,267 A
封装:D2PAK-7产品说明:碳化硅(SiC)肖特基二极管 – EliteSiC 50A 1200V D3 TO-247-2L封装
封装:TO-247-2L产品说明:MOSFET - 功率,单 N 沟道 40 V,0.92 m,300 A
封装:5-DFN产品说明:MOSFET - N 沟道屏蔽栅 PowerTrench 150 V、7.3 m、101 A
封装:TO-263-3产品说明:功率 MOSFET,N 沟道,SUPERFET III,FAST,650 V,10 A,360 欧姆,DPAK
封装:TO-252-3产品说明:MOSFET - 功率,单 P 沟道 -40 V,9.5 mΩ,-77 A
封装:5-DFN电话咨询:86-755-83294757
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