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CY8C4127AXI-S445

产品说明:24MHz,32位单核 PSOC™ 4 微控制器IC,TQFP-64

封装:TQFP-64
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DSPIC33EP512GM710-E/BG

产品说明:70 MHz 16 位单核数字信号控制器 (DSC)

封装:TFBGA-121
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB025N10N3G

产品说明:OptiMOS™ 100V N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPB017N06N3G

产品说明:OptiMOS™ 60V N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO263-7
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L050N170M1
ON

产品说明:1700V、45A、53mohm、碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管、TO-247-4

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DSPIC33EP512GM710-I/PT

产品说明:70 MHz 16 位单核数字信号控制器 (DSC)

封装:TQFP-100
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPA65R045C7

产品说明:650V 18A CoolMOS™ C7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DSPIC33EP512GM710-E/PF

产品说明:70 MHz 16 位单核数字信号控制器 (DSC)

封装:TQFP-100
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBL032N065M3S
ON

产品说明:650V、55A、碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管,H-PSOF-8

封装:H-PSOF-8
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPAN60R180CM8

产品说明:600 V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD047N03LF2S

产品说明:StrongIRFET™ 2 30V N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-TO252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ4C075018K4S
ON

产品说明:750V,18mohm,碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管,TO-247-4

封装:TO-220-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
DSPIC33EP512MU810-I/BG

产品说明:70 MHz 16 位单核数字信号控制器 (DSC)

封装:TFBGA-121
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPDD60R080G7

产品说明:600V CoolMOS™ G7 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

封装:PG-HDSOP-10
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
UJ3C065030T3S
ON

产品说明:650V,85A,碳化硅(SiC)MOSFET 晶体管,TO-220-3

封装:TO-220-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD60R180CM8

产品说明:600 V CoolMOS™ 8 功率 MOSFET 晶体管

封装:TO-252-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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