品牌:
产品图片
规格型号
品牌
参数描述
起订量
库存
购买数量
单价
操作
产品说明:半桥 栅极驱动器 IC 非反相 PG-LQFP-64-27
封装:LQFP-64产品说明:采用 TO-220 封装的 200V 单 N 沟道功率 MOSFET
封装:TO-220-3产品说明:OptiMOSTM 集成功率级器件,具有出色的效率和热性能 39-PowerVFQFN
封装:QFN-39产品说明:采用 TO-220 封装的 55V 单 N 沟道功率 MOSFET
封装:TO-220-3产品说明:高效率OptiMOS™ 90A集成内部电流检测功率级
封装:PG-IQFN-39产品说明:OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 100 V,采用 TO-220 封装
封装:TO-220-3产品说明:采用 TO-220AB 封装的 60V 单 N 沟道 IR MOSFET™
封装:TO-220AB产品说明:栅极驱动器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59
封装:DSO-8产品说明:采用 TO-220 封装的 75V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET
封装:TO-220-3产品说明:栅极驱动器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59
封装:DSO-8产品说明:用于电信应用的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 80V
封装:TO-220-3产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 半桥逆变器 1200 V 600 A 底座安装
封装:Module产品说明:IGBT 模块 2 个独立式 1700 V 1390 A 6250 W 底座安装
封装:模块产品说明:栅极驱动器 磁耦合 2500Vrms 1 通道 PG-DSO-8-59
封装:DSO-8产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 2 个独立式 1700 V 900 A 20 mW 底座安装 AG-ECONOD
封装:Module产品说明:表面贴装型 N 通道 100 V 70A(Tc) 125W(Tc) PG-TO263-3-2
封装:TO-263电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: