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BSB165N15NZ3G

产品说明:N 沟道功率 MOSFET 150V 晶体管

封装:3-WDSON
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDF5673K

产品说明:栅极驱动器 磁耦合 1500VDC 1 通道 PG-TFLGA-13-1

封装:LGA-13
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPP039N10N5

产品说明:100V OptiMOS™ 5 功率晶体管

封装:TO-220-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDI60I12AF

产品说明:1200 V、10 A 单通道隔离栅极驱动器,具有独立输出和短路箝位功能

封装:DSO-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPTC026N12NM6

产品说明:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V,采用 TOLT 封装

封装:PG-HDSOP-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDF5673F

产品说明:GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能,非常适合驱动GaN HEMT

封装:DSO-16
10起
2500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IPD30N10S3L34

产品说明:英飞凌科技 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET

封装:PG-TO252-3-11
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FF650R17IE4PB60

产品说明:IGBT 模块 - 晶闸管/可控硅

封装:模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1ED3461MU12M

产品说明:6A 栅极驱动器 磁耦合 1 通道 PG-DSO-16-28

封装:DSO-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA75R090M1H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,性能可靠且经济高效

封装:PG-TO247-4-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1ED3461MC12M

产品说明:6A 栅极驱动器 磁耦合 5700Vrms 1 通道 PG-DSO-16-28

封装:DSO-16
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
2ED21064S06J

产品说明:650 V 高压侧和低压侧栅极驱动器,集成自举二极管

封装:DSO-14
10起
12900
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMZA75R027M1H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,性能可靠且经济高效

封装:PG-TO247-4-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
2EDR9258X

产品说明:快速、坚固、双通道电隔离栅极驱动器IC

封装:DSO-14
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
1EDB9275F

产品说明:高端 栅极驱动器 IC 反相 PG-DSO-8

封装:DSO-8
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IMW65R020M2H

产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,性能可靠且经济高效

封装:PG-TO247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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