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产品说明:N 沟道功率 MOSFET 150V 晶体管
封装:3-WDSON产品说明:栅极驱动器 磁耦合 1500VDC 1 通道 PG-TFLGA-13-1
封装:LGA-13产品说明:100V OptiMOS™ 5 功率晶体管
封装:TO-220-3产品说明:1200 V、10 A 单通道隔离栅极驱动器,具有独立输出和短路箝位功能
封装:DSO-8产品说明:OptiMOS™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V,采用 TOLT 封装
封装:PG-HDSOP-16产品说明:GaN EiceDRIVER™IC具有出色的稳健性和效能,非常适合驱动GaN HEMT
封装:DSO-16产品说明:英飞凌科技 N 沟道 OptiMOS™ 功率 MOSFET
封装:PG-TO252-3-11产品说明:6A 栅极驱动器 磁耦合 1 通道 PG-DSO-16-28
封装:DSO-16产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,性能可靠且经济高效
封装:PG-TO247-4-3产品说明:6A 栅极驱动器 磁耦合 5700Vrms 1 通道 PG-DSO-16-28
封装:DSO-16产品说明:650 V 高压侧和低压侧栅极驱动器,集成自举二极管
封装:DSO-14产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 4 引脚封装,性能可靠且经济高效
封装:PG-TO247-4-3产品说明:快速、坚固、双通道电隔离栅极驱动器IC
封装:DSO-14产品说明:高端 栅极驱动器 IC 反相 PG-DSO-8
封装:DSO-8产品说明:CoolSiC™ MOSFET 650V - SiC MOSFET 采用 TO247 3 引脚封装,性能可靠且经济高效
封装:PG-TO247-3电话咨询:86-755-83294757
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