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IXTP160N10T

产品说明:通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

封装:TO-220-3
10起
15000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MCB20P1200LB-TUR

产品说明:N 沟道 1200V SiC MOSFET 模块

封装:9-SMPD-B
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXFN50N120SIC

产品说明:N 沟道 1200V 47A SiC MOSFET 模块

封装:SOT-227-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH8N250CHV

产品说明:高压IGBT 晶体管 2500 V 29 A 280 W 通孔 TO-247HV

封装:TO-247HV-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXGX320N60B3

产品说明:中频IGBT PT 600 V 500 A 1700 W 通孔 PLUS247™-3

封装:PLUS247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXBK55N300

产品说明:IGBT 晶体管 3000 V 130 A 625 W 通孔 TO-264AA

封装:TO-264-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
MXB12R600DPHFC

产品说明:600V、160mΩ、18A X2 级功率 MOSFET 晶体管,带 FRED 二极管

封装:ISOPLUS i4-PAC™
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXTY2P50PA

产品说明:500V P-沟道增强型 PolarP™ MOSFET 晶体管

封装:TO-252-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXA33IF1200HB

产品说明:IGBT 晶体管 XPT IGBT Copack

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH55N120B4H1

产品说明:IGBT 沟道 1200V 138A 650W 通孔 TO-247(IXTH)

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYK120N120C3

产品说明:IGBT 1200 V 240 A 1500 W 通孔 TO-264(IXYK)

封装:TO-264-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH55N120C4H1

产品说明:IGBT 沟道 1200V 126A 650W 通孔 TO-247(IXTH)

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYH10N170C

产品说明:IGBT 1700 V 36 A 280 W 通孔 TO-247(IXYH)

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXXX160N65B4

产品说明:IGBT PT 650 V 310 A 940 W 通孔 PLUS247™-3

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXYP20N65C3D1M

产品说明:用于 20-60 kHz 开关的极轻型击穿式 IGBT 晶体管

封装:TO-220-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IXGA30N120B3

产品说明:IGBT PT 1200 V 60 A 300 W 表面贴装型 TO-263AA

封装:TO-263
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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