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产品说明:Nano Cap™,EcoGaN™,650V 150mΩ 2MHz,GaN HEMT 功率级 IC
封装:VQFN-46产品说明:1200V N通道 4引脚封装 SiC(碳化硅)MOSFET
封装:TO-247-4L产品说明:1200V, 55A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET
封装:TO-247-4L产品说明:650V, 70A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET
封装:TO-247-4L产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 132 A 348 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 96 A 254 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 45 A 94 W 通孔 TO-3PFM
封装:TO-3PFM产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3电话咨询:86-755-83294757
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