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深圳市明佳达电子有限公司

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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

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BM3G015MUV-LBE2

产品说明:Nano Cap™,EcoGaN™,650V 150mΩ 2MHz,GaN HEMT 功率级 IC

封装:VQFN-46
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRC15

产品说明:1200V N通道 4引脚封装 SiC(碳化硅)MOSFET

封装:TO-247-4L
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3040KRHRC15

产品说明:1200V, 55A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

封装:TO-247-4L
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SCT3030ARHRC15

产品说明:650V, 70A, 4引脚THD, 沟槽结构 车载SiC-MOSFET

封装:TO-247-4L
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50TSX2DGC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGWX5TS65HRC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 132 A 348 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TS65DHRC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 96 A 254 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGS50TSX2GC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 50 A 395 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
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50 +
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RGTV00TK65DGC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 45 A 94 W 通孔 TO-3PFM

封装:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
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RGS30TSX2DGC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
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10 +
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RGW80TS65DHRC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 80 A 214 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGW00TK65DGVC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 45 A 89 W 通孔 TO-3PFM

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10起
1000
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RGW60TS65EHRC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 64 A 178 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
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10 +
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RGTH00TK65DGC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 35 A 72 W 通孔 TO-3PFM

封装:TO-3PFM
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50 +
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RGTV80TK65DGVC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 39 A 85 W 通孔 TO-3PFM

封装:TO-3PFM
10起
1000
1 +
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25 +
50 +
>=100
RGS30TSX2HRC11

产品说明:IGBT 沟槽场截止 1200 V 30 A 267 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247N
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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