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产品说明:功率驱动器模块 IGBT 三相反相器 600 V 2 A 23-DIP 模块(0.573",14.55mm)
封装:23-DIP 模块产品说明:ARM® Cortex®-M4F FM4 S6E2HG 微控制器 IC 32-位 160MHz 288KB(288K x 8)
封装:100-LQFP产品说明:CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 半桥 600 V,可提供高密度、高效率解决方案
封装:PG-TIQFN-28产品说明:CoolGaN™ 600 V 增强型功率晶体管具有快速导通和关断速度,开关损耗最小
封装:PG-LSON-8产品说明:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
封装:24-FBGA产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ 电子模式功率晶体管,采用底部冷却功率封装
封装:PG-HSOF-8产品说明:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
封装:24-FBGA产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ 电子模式功率晶体管,采用底部冷却功率封装
封装:PG-DSO-20产品说明:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)
封装:24-FBGA产品说明:功率驱动器模块 IGBT 3 相 600 V 15 A
封装:DIP-24产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ e 模式功率晶体管,采用顶部冷却功率封装
封装:20-PowerSOIC产品说明:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mbit HyperBus 166 MHz 36 ns 24-FBGA(6x8)
封装:24-FBGA产品说明:功率驱动器模块 IGBT 2 相 600 V 20 A
封装:24-PowerDIP Module产品说明:ARM® Cortex®-M4F FM4 MB9B360L 微控制器 IC 32 位单核 160MHz 544KB(544K x 8)
封装:48-VFQFN产品说明:功率驱动器模块 IGBT 3 相 650 V 30 A
封装:24-PowerDIP Module电话咨询:86-755-83294757
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