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深圳市明佳达电子有限公司

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AI 处理器

电阻器网络

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IM241S6T2J

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 三相反相器 600 V 2 A 23-DIP 模块(0.573",14.55mm)

封装:23-DIP 模块
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S6E2HG4F0AGV2000M

产品说明:ARM® Cortex®-M4F FM4 S6E2HG 微控制器 IC 32-位 160MHz 288KB(288K x 8)

封装:100-LQFP
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGI60F5050A1L

产品说明:CoolGaN™ 集成功率级 (IPS) 半桥 600 V,可提供高密度、高效率解决方案

封装:PG-TIQFN-28
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
TLF12501

产品说明:汽车 60A 智能功率级

封装:QFN-36
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGLD60R190D1S

产品说明:CoolGaN™ 600 V 增强型功率晶体管具有快速导通和关断速度,开关损耗最小

封装:PG-LSON-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S27KS0642GABHA020

产品说明:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)

封装:24-FBGA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGT60R042D1

产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ 电子模式功率晶体管,采用底部冷却功率封装

封装:PG-HSOF-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S27KL0642GABHV020

产品说明:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)

封装:24-FBGA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGO60R042D1

产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ 电子模式功率晶体管,采用底部冷却功率封装

封装:PG-DSO-20
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S27KL0642GABHA023

产品说明:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mbit HyperBus 200 MHz 35 ns 24-FBGA(6x8)

封装:24-FBGA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKCM15F60GA

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 3 相 600 V 15 A

封装:DIP-24
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IGOT60R042D1

产品说明:用于大功率应用的 600 V CoolGaN™ e 模式功率晶体管,采用顶部冷却功率封装

封装:20-PowerSOIC
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
S27KL0642DPBHA023

产品说明:PSRAM(伪 SRAM) 存储器 IC 64Mbit HyperBus 166 MHz 36 ns 24-FBGA(6x8)

封装:24-FBGA
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IKCM20R60GD

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 2 相 600 V 20 A

封装:24-PowerDIP Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
CY9BF366KQN-G-AVE2

产品说明:ARM® Cortex®-M4F FM4 MB9B360L 微控制器 IC 32 位单核 160MHz 544KB(544K x 8)

封装:48-VFQFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
IFCM30U65GD

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 3 相 650 V 30 A

封装:24-PowerDIP Module
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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