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AI 处理器

AI 加速器

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NTMFS4C910NAT3G
ON

产品说明:单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,52A,5.8mΩ

封装:DFN-8
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS4C908NAT3G
ON

产品说明:单 N 沟道,功率 MOSFET,30V,52A,5.8mΩ

封装:DFN-8
10起
5000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAM1512L7B
ON

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 三相反相器 1.2 kV 15 A 39-PowerDIP 模块(1.413",35.90mm),29 引线

封装:DIP-39
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH350N100H4Q2F2P1G-R
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 303 A 592 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK(93x47)

封装:Q2PACK-42
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH350N100H4Q2F2S1G-R
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 303 A 592 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK(93x47)

封装:Q2PACK-42
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAM2512L7B
ON

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 三相反相器 1.2 kV 25 A 39-PowerDIP 模块(1.413",35.90mm),29 引线

封装:DIP-39
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAM3512L7B
ON

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 三相反相器 1.2 kV 35 A 39-PowerDIP 模块(1.413",35.90mm),29 引线

封装:DIP-39
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAQ1060L36T
ON

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 三相反相器 600 V 10 A 38-PowerDIP 模块(0,610",24,00mm),24 引线

封装:DIP-38
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMYS011N04CTWG
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 13A(Ta),35A(Tc) 3.8W(Ta),28W(Tc) LFPAK4(5x6)

封装:LFPAK4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FPF2188UCX
ON

产品说明:受保护电源开关 28 V / 4 A 额定 OVP,带低导通电阻

封装:WLCSP-6
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMYS4D1N06CLTWG
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V 22A(Ta),100A(Tc) 3.7W(Ta),79W(Tc) LFPAK4(5x6)

封装:LFPAK4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
SNXH75M65L3F2STG
ON

产品说明:IGBT 模块 场截止 全桥反相器 650 V 75 A 236 W 底座安装 32-PIM(56.7x42.5)

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NIV3071MTW4TWG
ON

产品说明:电子保险丝 稳压器 高端 2.5A

封装:16-WQFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFD5C470NT1G
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 40V 11.7A(Ta),36A(Tc) 3.1W(Ta),28W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

封装:8-DFN
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFD6H846NLT1G
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 80V 9,4A(Ta),31A(Tc) 3,2W(Ta),34W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)双标记(SO8FL-双通道)

封装:8-DFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NIS3071MT3TWG
ON

产品说明:电子保险丝 稳压器 高端 2.5A

封装:16-WQFN
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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