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AI 加速器

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NTMYS011N04CTWG
ON

产品说明:表面贴装型 功率 MOSFET,单 N 沟道,40 V,12 mΩ,35 A LFPAK4(5x6)

封装:LFPAK4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVLJS053N12MCLTAG
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 120 V 4.8A(Ta) 620mW(Ta) 6-UDFN(2x2)

封装:6-UDFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMJS3D0N06CTWG
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V, 3 mΩ, 150 A 功率 MOSFET 8-LFPAK

封装:8-LFPAK
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG095N65S3F
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 650 V 36A(Tc) 272W(Tc) D2PAK-7

封装:D2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBLS1D5N10MCTXG
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 PowerTrench® MOSFET, 100V, 300A, 1.5mΩ 8-HPSOF

封装:8-HPSOF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBLS1D7N10MCTXG
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 PowerTrench® MOSFET, 100V, 300A, 1.5mΩ 8-HPSOF

封装:8-HPSOF
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMTS0D6N04CTXG
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 533A(Tc) 5W(Ta) 8-DFNW(8.3x8.4)

封装:8-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCV57256DR2G
ON

产品说明:3.5A,6.5A 栅极驱动器 容性耦合 2500Vrms 2 通道 16-SOIC

封装:16-SOIC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NCD57255DR2G
ON

产品说明:3.5A,6.5A 栅极驱动器 容性耦合 2500Vrms 2 通道 16-SOIC

封装:16-SOIC
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH400N100H4Q2F2SG-R
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 409 A 959 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK(93x47)

封装:PIM-44
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH240B120H3Q1S1G-R
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1200 V 92 A 266 W 底座安装 32-PIM(71x37.4)

封装:PIM-32
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH200B100H4F2SG-R
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1 kV 100 A 93 W 底座安装 36-PIM(56.7x48)

封装:F2
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFD5C680NLT1G
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 60V 7.5A(Ta),26A(Tc) 3W(Ta),19W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)

封装:8-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH300N95H4Q2F2SG
ON

产品说明:VE-Trac Direct - 单侧冷却 6 封装电源模块,带扁平底板,适用于汽车 750V,660A

封装:Q2PACK
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVTFWS9D6P04M8LTAG
ON

产品说明:表面贴装型 P 通道 40 V 13A(Ta),64A(Tc) 3.2W(Ta),75W(Tc) 8-WDFN(3.3x3.3)

封装:8-WDFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH450B100H4Q2F2PG-R
ON

产品说明:IGBT 模块 半桥逆变器 1000 V 101 A 234 W 底座安装 56-PIM(93x47)

封装:Q2BOOST
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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