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产品说明:离线转换器 反激,正激 拓扑 最高 500kHz 8-SOIC
封装:SOP8产品说明:表面贴装型 N通道 900V 9.8A(Ta),112A(Tc) 3.7W(Ta),477W(Tc)D2PAK-7
封装:D2PAK-7产品说明:通孔 N 通道 1200V 58A(Tc) 319W(Tc)TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:功率驱动器模块 IGBT 3 相 650 V 20 A 39-PowerDIP 模块(1.413",35.90mm),30 引线
封装:39-PowerDIP产品说明:IGBT 模块 2 个独立式 1000 V 101 A 234 W 底座安装 56-PIM(93x47)
封装:56-PIM产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 409 A 959 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK
封装:42-PIM产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 409 A 959 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK
封装:42-PIM产品说明:IGBT 模块 2 个独立式 1000 V 101 A 234 W 底座安装 56-PIM(93x47)
封装:56-PIM产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V 17A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta),61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装:DFN-5产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V 28A(Ta),150A(Tc) 3.7W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装:DFN-5产品说明:表面贴装型 N 通道 30 V 48A(Ta),298A(Tc) 3.8W(Ta),144W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)
封装:DFN-5产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET,N沟道 - EliteSiC,60欧姆,900V,M2,TO247-3L
封装:TO-247-3产品说明:MOSFET - 功率,单,N-通道,80 V,3.2mΩ 135 A
封装:DFN-5产品说明:功率驱动器模块 MOSFET H 桥 650 V 26 A 16-SSIP
封装:16-SSIP产品说明:IGBT 模块 三相反相器 1200 V 25 A 81 W 底座安装 44-PIM(71x37.4)
封装:44-PIM产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1200 V 80A 底座安装
封装:MODULE电话咨询:86-755-83294757
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