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AI 处理器

AI 加速器

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NCP1252ADR2G
ON

产品说明:离线转换器 反激,正激 拓扑 最高 500kHz 8-SOIC

封装:SOP8
10起
40000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBG020N090SC1
ON

产品说明:表面贴装型 N通道 900V 9.8A(Ta),112A(Tc) 3.7W(Ta),477W(Tc)D2PAK-7

封装:D2PAK-7
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L040N120SC1
ON

产品说明:通孔 N 通道 1200V 58A(Tc) 319W(Tc)TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NFAM2065L4BT
ON

产品说明:功率驱动器模块 IGBT 3 相 650 V 20 A 39-PowerDIP 模块(1.413",35.90mm),30 引线

封装:39-PowerDIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH450B100H4Q2F2PG
ON

产品说明:IGBT 模块 2 个独立式 1000 V 101 A 234 W 底座安装 56-PIM(93x47)

封装:56-PIM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH400N100H4Q2F2SG
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 409 A 959 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK

封装:42-PIM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH400N100H4Q2F2PG
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 409 A 959 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK

封装:42-PIM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH450B100H4Q2F2SG
ON

产品说明:IGBT 模块 2 个独立式 1000 V 101 A 234 W 底座安装 56-PIM(93x47)

封装:56-PIM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMFS5C670NWFT1G
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V 17A(Ta),71A(Tc) 3.6W(Ta),61W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装:DFN-5
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS5C628NT1G
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 60 V 28A(Ta),150A(Tc) 3.7W(Ta),110W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装:DFN-5
10起
1500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS0D9N03CGT1G
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 30 V 48A(Ta),298A(Tc) 3.8W(Ta),144W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)

封装:DFN-5
10起
7500
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVHL060N090SC1
ON

产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET,N沟道 - EliteSiC,60欧姆,900V,M2,TO247-3L

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFS6H818NLT1G
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单,N-通道,80 V,3.2mΩ 135 A

封装:DFN-5
10起
6000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXV65HR82DZ2
ON

产品说明:功率驱动器模块 MOSFET H 桥 650 V 26 A 16-SSIP

封装:16-SSIP
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH25T120L2Q1PG
ON

产品说明:IGBT 模块 三相反相器 1200 V 25 A 81 W 底座安装 44-PIM(71x37.4)

封装:44-PIM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH80T120L2Q0S2TG
ON

产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1200 V 80A 底座安装

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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