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产品说明:IGBT 模块 三相反相器 650 V 50 A 20 mW 通孔 27-DIP
封装:27-DIP产品说明:IGBT 模块 三相反相器 1200 V 25 A 81 W 底座安装 44-PIM(71x37.4)
封装:44-PIM产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 双,共源 1118 V 73 A 194 W 底座安装 27-PIM(71x37.4)
封装:27-PIM产品说明:IGBT 模块 2 个独立式 650 V 33 A 160 W 通孔 APMCD-B16
封装:12-SSIP产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 全桥 650 V 48 A 86 W 底座安装 56-PIM(93x47)
封装:56-PIM产品说明:功率驱动器模块 IGBT 三相反相器 600 V 5 A 29-PowerSSIP 模块,21 引线,成形引线
封装:SIP29产品说明:IGBT 模块 沟槽型场截止 三级反相器 1000 V 303 A 276 W 底座安装 42-PIM/Q2PACK(93x47)
封装:42-PIM产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封装:26-DIP产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封装:26-DIP产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
封装:26-DIP产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 50 A 20 mW 通孔 26-DIP
封装:26-DIP产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 25 A 20 mW 通孔 26-DIP
封装:26-DIP产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封装:26-DIP产品说明:功率MOSFET,单N沟道,40 V,0.67 mOhms,420 A
封装:DFNW-8产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
封装:TO-247-3产品说明:MOSFET - 阵列 40V 15A(Ta),60A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面贴装型 12-WQFN(3.3x3.3)
封装:WQFN-12电话咨询:86-755-83294757
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