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产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 25 A 20 mW 通孔 26-DIP
封装:26-DIP产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP
封装:26-DIP产品说明:功率MOSFET,单N沟道,40 V,0.67 mOhms,420 A
封装:DFNW-8产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
封装:TO-247-3产品说明:MOSFET - 阵列 40V 15A(Ta),60A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面贴装型 12-WQFN(3.3x3.3)
封装:WQFN-12产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L
封装:D2PAK-7产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L
封装:TO-247-4产品说明:MOSFET - 功率,单,N-通道,TOLL,80 V,1.05 mΩ,351 A
封装:8-HPSOF产品说明:MOSFET - 功率,单,N-通道,TOLL,60 V,0.9 mΩ,422 A
封装:8-HPSOF产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L
封装:TO-247-3产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L
封装:TO-247-4产品说明:MOSFET - 阵列 40V 11A(Ta),36A(Tc) 3W(Ta),24W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)
封装:8-DFN产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 65A(Ta),420A(Tc) 4.9W(Ta),205W(Tc) 8-DFNW(8.3x8.4)
封装:8-DFNW产品说明:IGBT 3 相 650 V 50 A 27-PowerDIP 模块(0.300",7.62mm)
封装:27-PowerDIP产品说明:通孔 N 通道 800 V 56A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3
封装:TO247-3产品说明:通孔 N 通道 650 V 40A(Tc) 48W(Tc) TO-220F-3
封装:TO-220F-3电话咨询:86-755-83294757
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