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NXH25C120L2C2SG
ON

产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 25 A 20 mW 通孔 26-DIP

封装:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NXH35C120L2C2S1G
ON

产品说明:IGBT 模块 三相反相器,带制动器 1200 V 35 A 20 mW 通孔 26-DIP

封装:26-DIP
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVMTS0D7N04CTXG
ON

产品说明:功率MOSFET,单N沟道,40 V,0.67 mOhms,420 A

封装:DFNW-8
10起
2540
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL040N120SC1
ON

产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTTFD4D0N04HLTWG
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 40V 15A(Ta),60A(Tc) 1.7W(Ta),26W(Tc) 表面贴装型 12-WQFN(3.3x3.3)

封装:WQFN-12
10起
1100
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBG080N120SC1
ON

产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 40 mohm, 1200 V, M1, D2PAK-7L

封装:D2PAK-7
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVH4L022N120M3S
ON

产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 22 mohm, 1200 V, M3S, TO247-4L

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTBLS1D1N08H
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单,N-通道,TOLL,80 V,1.05 mΩ,351 A

封装:8-HPSOF
10起
3200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NVBLS001N06C
ON

产品说明:MOSFET - 功率,单,N-通道,TOLL,60 V,0.9 mΩ,422 A

封装:8-HPSOF
10起
1200
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTHL080N120SC1A
ON

产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 80 mohm, 1200 V, M1, TO-247-3L

封装:TO-247-3
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTH4L020N090SC1
ON

产品说明:碳化硅(SiC)MOSFET - EliteSiC, 20 mohm, 900 V, M2, TO-247-4L

封装:TO-247-4
10起
2000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMFD5C470NLT1G
ON

产品说明:MOSFET - 阵列 40V 11A(Ta),36A(Tc) 3W(Ta),24W(Tc) 表面贴装型 8-DFN(5x6)

封装:8-DFN
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTMTS0D7N04CTXG
ON

产品说明:表面贴装型 N 通道 40 V 65A(Ta),420A(Tc) 4.9W(Ta),205W(Tc) 8-DFNW(8.3x8.4)

封装:8-DFNW
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FAM65V05DF1
ON

产品说明:IGBT 3 相 650 V 50 A 27-PowerDIP 模块(0.300",7.62mm)

封装:27-PowerDIP
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
FCH060N80-F155
ON

产品说明:通孔 N 通道 800 V 56A(Tc) 500W(Tc) TO-247-3

封装:TO247-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
NTPF082N65S3F
ON

产品说明:通孔 N 通道 650 V 40A(Tc) 48W(Tc) TO-220F-3

封装:TO-220F-3
10起
3000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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