商品名称：2ED2109S06F
数据手册：
2ED2109S06F.pdf
品牌：INFINEON
年份：23+
封装：8-SOIC
货期：全新原装
库存数量：1000 件
2ED2109S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道。
特性概述
工作电压（VS 节点）高达 + 650 V
负 VS 瞬态抗扰度为 100 V
集成超快、低电阻自举二极管，降低了 BOM 成本
浮动通道设计用于自举操作
双通道独立欠压锁定 (UVLO)
输入、/SD 逻辑输入、关断输入可关闭两个通道
内部 540 ns 死区时间
740 / 200 ns 传播延迟
最大电源电压为 25 V
VS 引脚上的逻辑工作电压可达 -11 V
输入端负压容差为 -5 V
浮动通道可用于驱动 N 沟道 MOSFET、SiC MOSFET 或高压侧配置的 IGBT
应用
家用电器
电机控制和驱动
电动工具
开关模式电源 (SMPS)
型号
品牌
封装
数量
描述
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