IMZA65R039M1HXKSA1 - 650V CoolSiC™ MOSFET 晶体管 - SiC MOSFET 晶体管采用 TO247 4 引脚封装，性能可靠且经济高效
型号：IMZA65R039M1HXKSA1
封装：TO-247-4
类型：MOSFET 晶体管
描述：650V CoolSiC™ M1 SiC 沟槽功率 MOSFET 晶体管
产品概览
IMZA65R039M1HXKSA1 是 650V CoolSiC™ MOSFET 晶体管，它采用最先进的沟槽式半导体，经过优化，可在应用中实现最低损耗和最高运行可靠性。
产品特点
低电容
优化的大电流开关性能
换向稳健的快速体二极管，反向恢复电荷 (Qrr) 低
出色的栅极氧化物可靠性
优异的热性能
雪崩能力更强
可与标准驱动器配合使用
4 引脚封装
优点
高性能、高可靠性和易用性
系统效率高
降低系统成本和复杂性
可缩小系统尺寸
适用于连续硬换向的拓扑结构
适用于高温和恶劣环境
支持双向拓扑结构
潜在应用
服务器
电信
SMPS
太阳能系统
储能和电池组件
不间断电源
电动汽车充电
电机驱动
型号
品牌
封装
数量
描述
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