采用 TO-247-4 引脚封装的 IMZA65R007M2H CoolSiC™ MOSFET 650 V、7 mΩ G2 在第 1 代技术优势的基础上,加快了成本优化、高效、紧凑和可靠解决方案的系统设计。第 2 代产品在硬开关操作和软开关拓扑的关键性能指标上都有显著改进,适用于所有常见的 AC-DC、DC-DC 和 DC-AC 级组合。
产品规格
制造商: Infineon
产品种类: 碳化硅MOSFET
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 20 ns
Id-连续漏极电流: 210 A
最大工作温度: + 175 C
最小工作温度: - 55 C
安装风格: Through Hole
通道数量: 1 Channel
封装 / 箱体: TO-247-4
Pd-功率耗散: 625 W
产品类型: SiC MOSFETS
Qg-栅极电荷: 439 nC
Rds On-漏源导通电阻: 8.5 mOhms
上升时间: 41 ns
系列: 650V G2
技术: SiC
商标名: CoolSiC
晶体管极性: N-Channel
典型关闭延迟时间: 53 ns
典型接通延迟时间: 22 ns
Vds-漏源极击穿电压: 650 V
Vgs - 栅极-源极电压: - 18 V, + 18 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 5.6 V
潜在应用
SMPS
太阳能光伏逆变器
能量存储和电池形成
UPS
电动汽车充电
型号
品牌
封装
数量
描述
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BSZ520N15NS3G 是英飞凌的 N沟道功率MOSFET,属于 OptiMOS™ 3系列,采用 TDSON-8封装(3.33.3mm),适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等应用。BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N沟道功率MOSFET,采用 TDSON-8封装,属于 OptiMOS™ 5系列。BTS724G
BTS724G 是英飞凌推出的四通道智能高端开关,采用PG-DSO-20封装,专为汽车电子和工业控制应用设计。电话咨询:86-755-83294757
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