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英飞凌 AIMDQ75R140M1H CoolSiC™ MOSFET 750 V 是一款高度坚固的 SiC MOSFET，具有最佳的系统性能和可靠性。

CoolSiC™汽车用750V G1 SiC沟槽式MOSFET可帮助电动汽车制造商构建具有更高效率、功率密度和可靠性的11kW和22kW双向车载充电器。这些器件在高温（Tjmax +175°C）下可靠工作，采用英飞凌专有技术。XT芯片连接技术，可实现同类芯片尺寸中最佳的热阻。

CoolSiC 750V G1技术具有极高的稳健性，特别是在宇宙辐射下，因此非常适合用于超过500V的总线电压。由于具有出色的杂散导通抗扰性，这些器件可以在零伏VGS 离级电压（单极栅极驱动器）下安全驱动，从而降低系统复杂性、PCB面积占用和BOM数量。宽栅极-源极额定电压（-5V至23V，VGS 静态）可确保与双极驱动兼容，提高设计灵活性。

特征

高度坚固的 750 V 技术

同类最佳的 RDS(on) x Qfr

出色的 Ron x Qoss 和 Ron x QG

同时具有低 Crss/Ciss 和高 Vgsth 性能

100% 经过雪崩测试 

.XT 互连技术，具有同类最佳的散热性能

尖端的顶部冷却封装

优势

卓越的硬开关效率

实现更高的开关频率

可靠性更高

可承受超过 500 V 的总线电压

对寄生匝的稳健性

单极驱动

同类最佳的热耗散

应用

固态继电器 (SSR)

电动汽车车载电池充电器

电动汽车高压 DC-DC 转换器

高压电子压缩机

高压 PTC 加热器模块

• 1.平台上看到的库存、价格准确吗？

  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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  答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。

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