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IRS2110SPBF是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高压侧和低压侧参考输出通道。专有的 HVIC 和闩锁免疫 CMOS 技术实现了坚固耐用的单片结构。逻辑输入兼容标准 CMOS 或 LSTTL 输出，逻辑电压低至 3.3 V。输出驱动器采用高脉冲电流缓冲级，旨在将驱动器交叉传导降至最低。传播延迟经过匹配，可简化高频应用中的使用。浮动通道可用于驱动高压侧配置中的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，工作电压高达 500 V 或 600 V。

IRS2110SPBF 产品属性

驱动配置： 半桥  

通道类型： 独立式  

驱动器数： 2  

栅极类型： IGBT，N 沟道 MOSFET  

电压 - 供电： 10V ~ 20V  

逻辑电压： - VIL，VIH 6V，9.5V  

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）: 2.5A，2.5A  

输入类型： 非反相  

高压侧电压 - 最大值（自举）： 500 V  

上升/下降时间（典型值）： 25ns，17ns  

工作温度： -40°C ~ 150°C（TJ）  

安装类型： 表面贴装型  

封装/外壳： 16-SOIC（0.295"，7.50mm 宽）  

供应商器件封装： 16-SOIC 

IRS2110SPBF 功能

浮动栅极驱动器设计用于自举操作

工作电压高达 +500 V

完全工作电压达 +600 V 可选 (IRS2113 )

可承受负瞬态电压，dV/dt 不受影响

栅极驱动电源范围为 10 V 至 20 V

双通道欠压锁定

兼容 3.3 V 逻辑

独立逻辑电源范围为 3.3 V 至 20 V

双通道传播延迟匹配

逻辑和电源接地 +/- 5 V 偏移

带下拉功能的 CMOS 施密特触发输入

逐周期边缘触发关断逻辑

输出与输入同相

IRS2110SPBF 应用

轻型电动汽车 (LEV)

电机控制

光伏

电力转换

电动工具

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