TP70H300G4JSGB - GaN FET - 深圳市明佳达电子有限公司

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商品型号：TP70H300G4JSGB

商品名称：GaN FET

品牌：Renesas

年份：25+

封装：8-PQFN

货期：全新原装

库存数量：1500 件

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公司名称：

制造商

Renesas

型号

TP70H300G4JSGB

封装

8-PQFN

描述

采用 PQFN-5x6 封装的 700V 240mΩ SuperGaN FET

TP70H300G4JSGB是（Renesas）推出的700V 240mΩ SuperGaN FET，采用 PQFN56封装，属于 Gen IV SuperGaN® 技术平台的产品。该器件具备以下关键特性：

电压与电阻‌：额定电压700V，导通电阻240mΩ。

封装形式‌：PQFN56行业标准封装，尺寸为8x8mm。

‌工作模式‌：常关断型（normally-off），结合高电压 GaN HEMT 与低电压硅MOSFET ，支持2kV以上 HBM ESD 防护。

技术优势

效率与可靠性‌：TP70H300G4JSGB采用Gen IV技术降低栅极电荷、输出电容及交叉损耗，提升硬开关和软开关电路效率，同时增强系统功率密度。

设计兼容性‌：适配标准硅基驱动电路，简化设计流程。

应用场景

TP70H300G4JSGB适用于高压直流电源、工业电源模块及新能源汽车等领域，可降低系统体积和重量，优化整体成本。

1.平台上看到的库存、价格准确吗？

答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的解决方案。
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答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
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