TP70H300G4LSGB是(Renesas)推出的一款700V 240mΩ SuperGaN GaN FET,采用PQFN88封装,基于第四代 SuperGaN平台设计。TP70H300G4LSGB整合了高压 GaN HEMT 与低压 硅MOSFET ,实现超过2kV人体模型静电放电(HBM ESD)等级,兼具高性能、高可靠性及标准驱动兼容性。
主要特性
采用 PQFN 8x8 工业封装的 240mOhm、700V GaN 器件
符合 JEDEC 标准的 GaN 技术
动态 RDS(on)eff 生产测试
坚固的设计,定义为:
800V 瞬态过压能力
使用 E 型栅极驱动器运行,无需齐纳保护
2kV HBM ESD额定值
低 QRR
减少交叉损耗
在硬开关和软开关电路中实现更高的效率,实现:
提高功率密度
减小系统尺寸和重量
系统成本的总体降低
应用场景
消费领域
电源适配器
低功耗 SMPS
照明系统
POE电源
型号
品牌
封装
数量
描述
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瑞萨科技是世界十大半导体芯片供应商之一,在很多诸如移动通信、汽车电子和PC/AV 等领域获得了全球最高市场份额。瑞萨科技在2003年4月1日正式成立,以领先的科技实现人类的梦想。结合了日立与三菱电机在半导体领域上的丰富经验和专业知识,配合全球二万七千名员工的无限创…
SLG7MD47701V
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RBA500N10EHWT-2UA01 N 沟道 MOSFET 场效应晶体管专为大电流开关应用而设计。REXFET-1 100V 技术采用分离栅极结构,可提供低导通电阻。 它减少了电容和栅极电荷,以实现更高效的开关。 得益于该技术,MOSFET可实现高开关速度和低功耗,从而提高能源效率。 此外,RBA500N1…电话咨询:86-755-83294757
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