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TP65H015G5WS 是一款采用 TO-247-3 封装的 650V 15mΩ SuperGaN FET器件， 它将最先进的高压 GaN HEMT 与低压硅 MOSFET 相结合，以提供卓越的可靠性和性能。具体参数如下：

FET 类型：N 通道

技术：GaNFET（氮化镓）

漏源电压（Vdss）：650 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：93A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：18 毫欧 @ 60A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.8V @ 2mA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：100 nC @ 10 V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：5218 pF @ 400 V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：266W（Tc）

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

供应商器件封装：TO-247-3

此外，TP65H015G5WS通过 JEDEC 认证，具备瞬态过压保护、抗浪涌电流能力。该GaN FET器件主要用于电动汽车的 车载充电器 （OBC）、 DC/DC转换器 及 动力总成逆变器 ，可支持高功率密度、高效率的电力电子系统设计。

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  答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

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