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AI 处理器

AI 加速器

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BSM120C12P2C201

产品说明:功率驱动器模块 MOSFET 1.2 kV 134 A 模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM180C12P2E202

产品说明:底座安装 N 通道 1200 V 204A(Tc) 1360W(Tc) 模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM450D12P4G102

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 447A(Tc) 1.45kW(Tc) 底座安装 模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300D12P4G101

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 291A(Tc) 925W(Tc) 底座安装 模块

封装:MODULE
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300D12P3E005

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 300A(Tc) 1260W(Tc) 底座安装 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600C12P3G201

产品说明:底座安装 N 通道 1200 V 600A(Tc) 2460W(Tc) 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM120D12P2C005

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 120A(Tc) 780W 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM180D12P2C101

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM300C12P3E201

产品说明:底座安装 N 通道 1200 V 300A(Tc) 1360W(Tc) 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM600D12P3G001

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) 底座安装 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
BSM400D12P3G002

产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 400A(Tc) 1570W(Tc) 底座安装 模块

封装:Module
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGT80TS65DGC13

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 70 A 234 W 通孔 TO-247G

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGT00TS65DGC13

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247G

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV80TS65GC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 78 A 234 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTV60TK65GVC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 33 A 76 W 通孔 TO-3PFM

封装:TO-3PFM
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
RGTVX2TS65DGC11

产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 111 A 319 W 通孔 TO-247N

封装:TO-247-3
10起
1000
1 +
10 +
25 +
50 +
>=100
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