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产品说明:功率驱动器模块 MOSFET 1.2 kV 134 A 模块
封装:MODULE产品说明:底座安装 N 通道 1200 V 204A(Tc) 1360W(Tc) 模块
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 447A(Tc) 1.45kW(Tc) 底座安装 模块
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 291A(Tc) 925W(Tc) 底座安装 模块
封装:MODULE产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 300A(Tc) 1260W(Tc) 底座安装 模块
封装:Module产品说明:底座安装 N 通道 1200 V 600A(Tc) 2460W(Tc) 模块
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 120A(Tc) 780W 模块
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 204A(Tc) 1130W 模块
封装:Module产品说明:底座安装 N 通道 1200 V 300A(Tc) 1360W(Tc) 模块
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 600A(Tc) 2450W(Tc) 底座安装 模块
封装:Module产品说明:MOSFET - 阵列 1200V(1.2kV) 400A(Tc) 1570W(Tc) 底座安装 模块
封装:Module产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 70 A 234 W 通孔 TO-247G
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 85 A 277 W 通孔 TO-247G
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 78 A 234 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 33 A 76 W 通孔 TO-3PFM
封装:TO-3PFM产品说明:IGBT 沟槽型场截止 650 V 111 A 319 W 通孔 TO-247N
封装:TO-247-3电话咨询:86-755-83294757
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