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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:IPL65R130CFD7

商品名称:IPL65R130CFD7

数据手册:IPL65R130CFD7.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封装:4-PowerTSFN

货期:全新原装

库存数量:1000

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公司名称:

技术参数

制造商
INFINEON
型号
IPL65R130CFD7
封装
4-PowerTSFN
描述
N 沟道 650 V 21A (Tc) 127W (Tc) 表面贴装 PG-VSON-4

产品描述

IPL65R130CFD7 650V CoolMOS™ CFD7 超级结 MOSFET 集成了快速体二极管,是谐振高功率拓扑结构的完美选择。


产品描述

英飞凌的 650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET IPL65R130CFD7 采用 ThinPAK 8x8 封装,非常适合服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站等工业应用中的谐振拓扑结构,与同类产品相比,它能够显著提高效率。 作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后继产品,它降低了栅极电荷,改善了关断性能,减少了反向恢复电荷,从而实现了最高的效率和功率密度,并增加了 50V 击穿电压。


特性概述

超快体二极管和极低 Qrr

650V 击穿电压

与同类产品相比,开关损耗显著降低

RDS(on) 随温度变化的依赖性最低


潜在应用

快速电动汽车充电

服务器电源

太阳能系统解决方案

电信基础设施


相关联产品

型号

品牌

封装

数量

描述

STL220N6F7

ST

PowerFLAT 5x6

1500

N沟道 60 V,典型值 1.2 mΩ,120 A STripFET F7 功率MOSFET,采用PowerFLAT 5x6封装

IXFH60N50P3

IXYS

TO-247-3

20000

通孔 N 通道 500 V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247AD(IXFH)

STL135N8F7AG

ST

PowerFLAT™ 5x6

15000

汽车级N沟道80 V、3.15 mOhm典型值、130 A STripFET F7功率MOSFET,PowerFLAT 5x6封装

STW40N95K5

ST

TO-247

8000

N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

STW48N60M6

ST

TO-247-3

1000

N沟道600 V、61 mOhm典型值、39 A MDmesh M6功率MOSFET,TO-247封装

STF22NM60N

ST

TO-220-3

50000

N沟道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封装

NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

9000

高性能 N 沟道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

  • 5.下单后什么时候能发货?多久能到?

    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立,是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门,于1999年独立,2000年上市。其中文名称为亿恒科技,2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司,为现代社会的三大科技挑…

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