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产品分类

AI 处理器

电阻器网络

图片仅供参考,请参阅产品规格
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商品型号:IRL80HS120

商品名称:IRL80HS120

数据手册:IRL80HS120.pdf

品牌:INFINEON

年份:23+

封装:6-PQFN

货期:全新原装

库存数量:1000

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技术参数

制造商
INFINEON
型号
IRL80HS120
封装
6-PQFN
描述
表面贴装型 N 通道 80 V 12.5A(Tc) 11.5W(Tc) 6-PQFN(2x2)(DFN2020)

产品描述

IRL80HS120 是适用于低 VGS 的新型逻辑级 MOSFET 晶体管。它非常适合无线充电、电信和适配器应用。PQFN 2x2 封装特别适合高速开关和外形尺寸要求严格的应用。


产品特性

最低 FOM(R DS(on) x Q g/gd)

优化的 Q g、C oss 和 Q rr,可实现快速开关

逻辑电平兼容性

微型 PQFN 2x2mm 封装

 

优势

封装占用空间最小

更高的功率密度设计

开关频率更高

只要有 5V 电源,就能减少零件数量

直接由微控制器驱动(开关速度慢)

降低系统成本

 

目标应用

无线充电

电信

适配器


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型号

品牌

封装

数量

描述

STL220N6F7

ST

PowerFLAT 5x6

1500

N沟道 60 V,典型值 1.2 mΩ,120 A STripFET F7 功率MOSFET,采用PowerFLAT 5x6封装

IXFH60N50P3

IXYS

TO-247-3

20000

通孔 N 通道 500 V 60A(Tc) 1040W(Tc) TO-247AD(IXFH)

STL135N8F7AG

ST

PowerFLAT™ 5x6

15000

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STW40N95K5

ST

TO-247

8000

N沟道950 V、0.110 Ohm典型值、38 A MDmesh K5功率MOSFET,TO-247封装

STW48N60M6

ST

TO-247-3

1000

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STF22NM60N

ST

TO-220-3

50000

N沟道600 V、0.2 Ohm、16 A MDmesh(TM) II功率MOSFET,TO-220FP封装

NIS5132MN4TXGHW

ON

SOP-8

9000

高性能 N 沟道 MOSFET

IXTP160N10T

IXYS

TO-220-3

15000

通孔 N 通道 100 V 160A(Tc) 430W(Tc) TO-220-3

MRH25N12U3SR

Microchip

SMD

3000

250V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

MRH15N19U3SR

Microchip

SMD

3000

150V 增强型 N 沟道抗辐射MOSFET

常见问题

  • 1.平台上看到的库存、价格准确吗?

    答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。

  • 2.公司商品都是原装正品吗?

    答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。

  • 3.可以提供原厂或代理的资质证明吗?

    答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。

  • 4.我可以通过公司网站进行询价吗?

    答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。

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    答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。

  • 6.公司能开发票吗?

    答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。

INFINEON

INFINEON

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