STL175N4LF8AG是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 STripFET F8 技术设计,具有增强型沟槽栅极结构。
产品属性
产品种类: MOSFET
技术: Si
安装风格: SMD/SMT
封装 / 箱体: PowerFLAT -4
晶体管极性: N-Channel
通道数量: 1 Channel
Vds-漏源极击穿电压: 40 V
Id-连续漏极电流: 167 A
Rds On-漏源导通电阻: 3.2 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压: - 16 V, + 16 V
Vgs th-栅源极阈值电压: 2 V
Qg-栅极电荷: 34.5 nC
最小工作温度: - 55 C
最大工作温度: + 175 C
Pd-功率耗散: 111 W
通道模式: Enhancement
配置: Single
下降时间: 3.5 ns
产品类型: MOSFET
上升时间: 2.5 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: MOSFETs
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 26 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
型号
品牌
封装
数量
描述
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道逻辑电平 40 V、最大 2.2 mΩ、167 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、5 mΩ typ.、107 A、STripFET™ F7 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT™ 5x6 封装
ST
PowerFLAT-4
1000
N 沟道 100 V、最大 3.2 mΩ、158 A STripFET F8 功率 MOSFET,采用 PowerFLAT 5x6 封装
答:所有上架的在线商品均可在线即可下单,但也考虑到现货库存流动性比较大,目前还无法做到100%的精准。如有异常,您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答:我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商,来源均可追溯,确保原装正品。
答:目前我们自营代理的品牌包含TI,ST,ADI,NXP,LATTICE,CYPRESS,INFINEON,XILINX等一线品牌,其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要,我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答:可以通过网站上询价,也可以通过电话以及邮箱咨询。
答:大部分商品信息中都有标注货期,您可根据货期估计商品的发货时间,具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答:可以为个人用户开具普通发票,也可以为企业用户开具增值税专用发票。
意法半导体(ST)集团于1987年成立,是由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成。1998年5月,SGS-THOMSON Microelectronics将公司名称改为意法半导体有限公司。意法半导体是世界最大的半导体公司之一。公司2019年全年净营收95.6亿美元; 毛利率38.7%;营业…
STL170N4LF8
STL170N4LF8是一款 40 V N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 STripFET F8 技术设计,具有增强型沟道栅极结构。ST25R100-CMET
ST25R100-CMET多用途 NFC 收发器采用 4x4 mm 小型封装,具有高端性能,为各种终端应用带来了非接触式交互的便利和功能。它特别针对消费和工业领域的终端产品进行了优化。STL305N4LF8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术,具有增强型沟槽栅结构。STL165N10F8AG
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET™ F7 技术,具有增强型沟槽栅极结构,导通电阻极低,同时还能降低内部电容和栅极电荷,从而实现更快、更高效的开关。STL300N4LF8
这款 N 沟道功率 MOSFET 采用 STripFET F8 技术,具有增强型沟槽栅极结构。STL160N10F8
STL160N10F8是一款 100 V N 沟道增强型功率 MOSFET,采用 STripFET F8 技术设计,具有增强型沟槽栅极结构。电话咨询:86-755-83294757
企业QQ:1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间:9:00-18:00
联系邮箱:chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址:广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接: