英飞凌的 IPP033N03LF2S StrongIRFET™ 2 功率 MOSFET 30 V 技术采用 TO-220 封装，RDS(on) 值为 3.3 mOhm。该产品适用于从低开关频率到高开关频率的广泛应用。
与以前的技术相比，IPP033N03LF2S 的 RDS(on) 提高了 40%，同时 FOM 提高了 60%，并具有出色的稳健性。
特性
针对各种应用进行了优化
N 沟道、逻辑电平
100% 雪崩测试
额定温度为 175°C
无铅电镀；符合 RoHS 规范
无卤素，符合 IEC61249-2-2 标准
应用领域
电机控制
电池供电电动工具
电池管理系统-电池保护
适配器和充电器
消费电子
型号
品牌
封装
数量
描述
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英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…
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SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要，在这些应用中，价格/性能、实时响应性、计算能…
IPA60R199CP
IPA60R199CP 是 英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 CoolMOS™ CP系列，采用 TO-220FP（PG-TO-220-FP）封装，适用于高效率电源转换、工业电力系统及汽车电子等应用。
IRFB3306GPBF
IRFB3306GPBF是 英飞凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N沟道功率MOSFET，采用 TO-220AB封装，适用于高电流开关、电源转换及电机驱动等应用。
BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 3系列，采用 TDSON-8封装（3.33.3mm），适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等应用。
BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N沟道功率MOSFET，采用 TDSON-8封装，属于 OptiMOS™ 5系列。
BTS724G
BTS724G 是英飞凌推出的四通道智能高端开关，采用PG-DSO-20封装，专为汽车电子和工业控制应用设计。电话咨询：86-755-83294757
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