IQFH36N04NM6 OptiMOS™ 6 40 V 功率 MOSFET 采用紧凑型、高性能 PQFN 8x6 封装，具有业内基准 RDS(on) 值。
这款 40 V 正常电平功率 MOSFET 采用我们最新的创新型紧凑型夹式 PQFN 8x6 mm2 封装，具有极高的电流和功率水平。该器件具有当前业界最佳的 0.36 mΩ RDS(on)，并具有出色的热性能。
这为电池供电应用、电池管理、低压驱动和 SMPS 等各种终端应用带来了更高的系统效率和功率密度。
参数： IQFH36N04NM6
最大内径（25°C 时）： 656 A
最低和最高工作温度： -55 °C 175 °C
封装： PQFN 8x6
极性： N
QG（典型值 @10V）： 206 nC
RDS（导通）（10V 时）最大值： 0.36 mΩ
VDS 最大值： 40 V
VGS(th) 最小值 最大值： 2.3 V 1.8 V 2
特性描述
尖端 OptiMOS™ 硅技术
高芯片/封装比
超高电流，占用空间小
超低封装寄生
优化的引线框架和 Cu-Clip 设计
与 PQFN 5x6 基底面兼容
布局紧凑，减少并联
型号
品牌
封装
数量
描述
答：所有上架的在线商品均可在线即可下单，但也考虑到现货库存流动性比较大，目前还无法做到100%的精准。如有异常，您可以在线联系我公司并给出对应的 解决方案。
答：我们的自营商品均采自合作的国内外原厂或授权代理商，来源均可追溯，确保原装正品。
答：目前我们自营代理的品牌包含TI，ST，ADI，NXP，LATTICE，CYPRESS，INFINEON，XILINX等一线品牌，其他渠道均为原厂及代理渠道。如有需要，我们可以针对具体品牌型号来沟通确认。
答：可以通过网站上询价，也可以通过电话以及邮箱咨询。
答：大部分商品信息中都有标注货期，您可根据货期估计商品的发货时间，具体到货时间根据商品具体所在的仓库、您所选择的物流方式而定。
答：可以为个人用户开具普通发票，也可以为企业用户开具增值税专用发票。
英飞凌科技公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一。其前身是西门子集团的半导体部门，于1999年独立，2000年上市。其中文名称为亿恒科技，2002年后更名为英飞凌科技。 总部位于德国Neubiberg的英飞凌科技股份公司，为现代社会的三大科技挑…
SAK-TC1791F-512F240EP AB
SAK-TC1791F-512F240EP AB TC1791是一个高性能的微控制器，具有TriCore CPU、程序和数据存储器、总线、总线仲裁、中断控制器、外围控制处理器和DMA控制器以及若干片上外设。TC1791旨在满足最苛刻的嵌入式控制系统应用的需要，在这些应用中，价格/性能、实时响应性、计算能…
IPA60R199CP
IPA60R199CP 是 英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 CoolMOS™ CP系列，采用 TO-220FP（PG-TO-220-FP）封装，适用于高效率电源转换、工业电力系统及汽车电子等应用。
IRFB3306GPBF
IRFB3306GPBF是 英飞凌旗下 HEXFET 系列 的一款 N沟道功率MOSFET，采用 TO-220AB封装，适用于高电流开关、电源转换及电机驱动等应用。
BSZ520N15NS3G
BSZ520N15NS3G 是英飞凌的 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 3系列，采用 TDSON-8封装（3.33.3mm），适用于高效率电源转换、电机驱动及汽车电子等应用。
BSC052N08NS5
BSC052N08NS5 是一款 N沟道功率MOSFET，采用 TDSON-8封装，属于 OptiMOS™ 5系列。
BTS724G
BTS724G 是英飞凌推出的四通道智能高端开关，采用PG-DSO-20封装，专为汽车电子和工业控制应用设计。电话咨询：86-755-83294757
企业QQ：1668527835/ 2850151598/ 2850151584/ 2850151585
服务时间：9:00-18:00
联系邮箱：chen13410018555@163.com/sales@hkmjd.com
公司地址：广东省深圳市福田区振中路新亚洲国利大厦1239-1241室
CopyRight©2022 版权归明佳达电子公司所有 粤ICP备05062024号-12
官方二维码
友情链接:
