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IPDD60R037CM8一款600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET 系列是 600 V CoolMOS™ 7 MOSFET 系列（包括 P7、S7、CFD7、C7 (G7) 和 PFD7）的后续产品。

它的栅极电荷 (Qg) 比 CFD7 降低了 20%，关断损耗 (Eoss) 比 CFD7 进一步降低了 12%，反向恢复电荷 (Qrr) 比 CFD7 降低了 3%，反向恢复时间 (trr) 也是市场上最低的。

参数描述

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: HDSOP-10

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 600 V

Id-连续漏极电流: 72 A

Rds On-漏源导通电阻: 37 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 4.7 V

Qg-栅极电荷: 79 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 150 C

Pd-功率耗散: 416 W

通道模式: Enhancement

商标名: CoolMOS

系列: 600V CM8

配置: Single

下降时间: 5.8 ns

上升时间: 7.6 ns

晶体管类型: 1 N-Channel

典型关闭延迟时间: 101.6 ns

典型接通延迟时间: 20.6 ns

潜在应用

• 电源和转换器

• PFC级和LLCresonant转换器

• 高能效开关应用

• 例如：服务器、电信、EVC 充电、UPS

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