IPW60R120P7 是 600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET。600V CoolMOS™ P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMOS™ P6 系列的后续产品。该产品继续在设计过程中的高效率与易用性之间保持平衡。第 7 代 CoolMOS™ 平台具有同类中较为出色的R onxA 和固有低栅极电荷 (Q G),确保高效率。
特征描述
效率
600V P7 支持优异 FOM R DS(on)xE oss 和 R DS(on)xQ G
使用方便
集成 ESD 二极管,从 180mN 起且高于 R DS(on)
集成栅极电阻器 R G
坚固体二极管
涵盖通孔和表面封装的丰富产品线
标准级和工业级部件可供选择
参数
漏源电压 (Vdss):600V
连续漏极电流 (Id):16A
导通电阻 (RDS(on)):120mΩ @ 10V, 8.2A
耗散功率 (Pd):95W
阈值电压 (Vgs(th)):3.5V @ 0.41mA
栅极电荷量 (Qg):36nC @ 10V
输入电容 (Ciss@Vds):1.544nF @ 400V
反向传输电容 (Crss):526pF @ 400V
工作温度:-55℃ ~ +150℃
封装:TO-247-3
潜在应用
电视电源
工业 SMPS
服务器
通信
照明
型号
品牌
封装
数量
描述
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