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IPB180N04S4L-H0 是英飞凌推出的一款 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ T2 40V 系列，采用 TO-263-7（D²Pak）封装。该器件具有 超低导通电阻（RDS(on) = 1mΩ @ 10V VGS） 和 高电流承载能力（180A 连续漏极电流），专为 汽车电子、工业电机驱动及高功率开关电源 设计。

IPB180N04S4L-H0 核心特性

低导通电阻：最大导通电阻（RDS(on)）为 1.0 mΩ（@ VGS=10V，ID=100A），有助于减少功率损耗

高电流能力：连续漏极电流（ID）可达 180A

高雪崩能力：100% 雪崩测试，确保在过载条件下也能可靠工作

宽工作温度范围：工作温度范围为 -55°C 至 +175°C

环保特性：符合 RoHS 标准，无铅镀层

封装形式：采用 TO-263-7 封装

IPB180N04S4L-H0 规格参数

漏源极电压（VDS）：最大 40V

漏极电流（ID）：最大 180A

导通电阻（RDS(on)）：在 VGS = 10V 时，最大 1.0 mΩ

栅极阈值电压（VGS(th)）：1.2V 至 2.2V

栅极电荷（QG）：最大 310nC

输入电容（Ciss）：24.44nF（@ VDS=25V）

反向传输电容（Crss）：370pF（@ VDS=25V）

工作温度范围：-55°C 至 +175°C

IPB180N04S4L-H0 应用领域

汽车电子：适用于汽车电子系统中的高功率开关应用。

开关电源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 转换器。

电机驱动：适用于工业自动化和电动汽车。

太阳能逆变器：用于太阳能发电系统中的电力转换。

不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中作为功率开关。

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