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ISC015N03LF2S是一款 N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ LF系列，采用 SuperSO8（PG-TSDSON-8）封装。该器件具有 极低导通电阻（RDS(on) = 1.5mΩ @ 10V VGS） 和 优化的开关性能，专为 高效率电源转换、电池管理和电机驱动 应用而设计。

ISC015N03LF2S 核心特性

低导通电阻：最大导通电阻（RDS(on)）仅为 1.5 mΩ（@ VGS=10V），有助于减少功率损耗。

高电流能力：最大漏极电流（ID）可达 214A。

高雪崩能力：100% 雪崩测试，确保在过载条件下也能可靠工作。

卓越的热性能：优化的热阻设计，提高系统效率和可靠性。

逻辑电平兼容：N 通道，逻辑电平驱动，易于与现有电路集成。

环保特性：无铅镀层，符合 RoHS 标准，且无卤素。、

规格参数

型号：ISC015N03LF2S

品牌：Infineon（英飞凌）

封装：SuperSO8（PG-TSDSON-8）

通道类型：N沟道增强型

漏源电压（VDS）： 30V

连续漏极电流（ID）： 30A（Ta） / 100A（Tc）

导通电阻（RDS(on)）： 1.5mΩ @ 10V（典型值），1.8mΩ @ 10V（最大值）

栅极电荷（Qg）： 15nC @ 10V

输入电容（Ciss）： 1200pF @ 15V

栅源电压（VGS） ：±20V（最大）

阈值电压（VGS(th)）： 2V @ 250µA

功率耗散（PD）： 2.5W（Ta） / 50W（Tc）

开关时间：上升时间 < 5ns，下降时间 < 5ns

工作温度范围： -55°C ~ +150°C（TJ）

ISC015N03LF2S 应用领域

开关电源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 转换器

电机驱动：适用于工业自动化和电动汽车

服务器和通信设备：提供高效率和高可靠性

电池管理系统：在电池管理系统中用于高效的充电和放电控制

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