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IPP77N06S2-12 是一款由英飞凌生产的 55V N 沟道功率 MOSFET，属于 OptiMOS™ 系列。该器件具有低导通电阻和高电流能力，适用于汽车级应用，符合 AEC-Q101 标准。

IPP77N06S2-12 产品特性

低导通电阻：最大导通电阻（RDS(on)）为 11.7 mΩ（@ VGS=10V，ID=77A），有助于减少功率损耗。

高电流能力：连续漏极电流（ID）可达 77A。

高雪崩能力：100% 雪崩测试，确保在过载条件下也能可靠工作。

宽工作温度范围：工作温度范围为 -55°C 至 +175°C。

环保特性：符合 RoHS 标准，无铅镀层。

封装形式：采用 PG-TO220-3 封装。

IPP77N06S2-12 规格参数

漏源极电压（VDS）：最大 55V

漏极电流（ID）：

在 TC=25°C，VGS=10V 时，最大 77A

在 TC=100°C，VGS=10V 时，最大 56A

导通电阻（RDS(on)）：在 VGS = 10V，ID=77A 时，最大 11.7 mΩ

栅极阈值电压（VGS(th)）：1.2V 至 2.5V

栅极电荷（QG）：最大 35nC

输入电容（Ciss）：16.5nF

反向传输电容（Crss）：450pF

工作温度范围：-55°C 至 +175°C

IPP77N06S2-12 应用领域

汽车电子：适用于汽车级应用，如车载充电器、电机驱动等。

开关电源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 转换器。

电机驱动：适用于工业自动化和电动汽车。

不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中作为功率开关。

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