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ISC007N04NM6 是N沟道功率MOSFET，属于 OptiMOS™ 6 系列，采用 PG-TDSON-8 FL 封装。该器件具有 超低导通电阻（RDS(on) = 0.7mΩ @ 10V VGS） 和 高电流承载能力（48A @ Ta, 381A @ Tc），专为 高效率电源转换、电池管理及工业驱动 应用设计。

ISC007N04NM6 产品特性

低导通电阻：最大导通电阻（RDS(on)）仅为 0.7 mΩ（@ VGS=10V，ID=50A），有助于减少功率损耗。

高电流能力：连续漏极电流（ID）可达 381A。

高雪崩能力：100% 雪崩测试，确保在过载条件下也能可靠工作。

优化的电荷比：QGD/QGS < 0.8，具有 C.dv/dt 抗扰能力，降低栅极电压尖峰。

低栅极电荷：减少开关损耗。

正常电平栅极驱动：防止嘈杂环境中的错误导通。

环保特性：无铅镀层，符合 RoHS 标准，且无卤素。

宽工作温度范围：-55°C 至 +175°C。

ISC007N04NM6 产品属性

制造商: Infineon

产品种类: MOSFET

技术: Si

安装风格: SMD/SMT

封装 / 箱体: TDSON-FL-8

晶体管极性: N-Channel

通道数量: 1 Channel

Vds-漏源极击穿电压: 40 V

Id-连续漏极电流: 381 A

Rds On-漏源导通电阻: 700 uOhms

Vgs - 栅极-源极电压: - 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压: 2.8 V

Qg-栅极电荷: 94 nC

最小工作温度: - 55 C

最大工作温度: + 175 C

Pd-功率耗散: 188 W

通道模式: Enhancement

商标名: OptiMOS

应用领域

ISC007N04NM6 广泛应用于以下领域：

电池供电应用：如电池供电工具、电池管理。

低压驱动器：适用于低电压驱动应用。

开关电源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 转换器。

负载开关：用于控制电子设备的供电状态。

电机驱动：适用于 FOC（磁场定向控制）和 DTC（直接转矩控制）电机控制技术。

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