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IPG20N06S2L-50A 是一款高性能双 N 沟道功率 MOSFET，属于 OptiMOS™ 系列。该器件具有低导通电阻、高电流能力和出色的热性能，适用于汽车级应用。

产品特性（IPG20N06S2L-50A）

双 N 沟道逻辑电平增强模式：适用于低电压控制下的高电流驱动。

符合汽车 AEC Q101 标准：确保在极端条件下保持可靠性和耐用性。

工作温度范围：-55°C 至 +175°C。

环保特性：符合 RoHS 标准，无卤素。

100% 雪崩测试：保证在大电流脉冲下的安全性。

封装形式：采用 PG-TDSON-8 封装。

节省 PCB 面积：双 Super S08 可替代多个 DPAK，节省大量 PCB 空间。

降低系统级成本：优化的封装设计，减少系统成本。

规格参数（IPG20N06S2L-50A）

漏源极电压（VDS）：最大 55V

漏极电流（ID）：

在 TC=25°C，VGS=10V 时，最大 20A

在 TC=100°C，VGS=10V 时，最大 16A

脉冲漏极电流（ID,pulse）：最大 80A

导通电阻（RDS(on)）：

在 VGS = 10V 时，最大 50 mΩ

栅极电荷（QG）：

典型值 13 nC（@10V）

最大值 17 nC（@10V）

总功耗（Ptot）：最大 51W（@25°C）

结壳热阻（RthJC）：最大 2.9 K/W

栅极阈值电压（VGS(th)）：1.6V

封装：PG-TDSON-8

应用领域

IPG20N06S2L-50A 广泛应用于以下领域：

汽车电子：如燃油直喷、ABS 阀门、电磁阀控制、负载开关、LED 和车身照明。

开关电源（SMPS）：如同步整流、DC-DC 转换器。

电机驱动：适用于工业自动化和电动汽车。

不间断电源（UPS）：在 UPS 系统中作为功率开关。

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